三星：業界首見32層3D V-NAND量產，耗電量低20%

精實新聞 2014-05-29 記者 郭妍希 報導

20140529_89_0.jpg -->三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)28日發布新聞稿宣布，該公司已開始量產業界首見的高階NAND型快閃記憶體「3D V-NAND」，這種記憶體採用32個垂直堆疊的的平面細胞層，是該公司第二代V-NAND。

三星的32層3D V-NAND (又稱Vertical NAND)比起前代的24層設計需要較為高階的堆疊技術，但生產效率卻較高、主因該公司能運用與第一代相同的V-NAND設備來進行製造。

除此之外，三星最近也剛發表了運用第二代V-NAND快閃記憶體架構的高階固態硬碟(SSD)，並有128GB、256GB、512GB以及1TB的儲存容量讓顧客選擇。三星去(2013)年推出資料中心專用的3D V-NAND SSD之後，目前正在將應用範圍拓展至高階PC。

與平面的MLC NAND SSD相較，全新3D V-NAND SSD對資料寫入擁有兩倍耐受度、耗電量更低了20%。

根據科技市調機構Gartner的預估，2017年全球記憶體銷售額有望從755億美元攀升至797億美元，其中NAND型快閃記憶體在2017年的銷售額更將達446億美元、市佔率超過50%。