狠踹東芝/美光！三星64層3D NAND Q4開賣、還要推100層

MoneyDJ新聞 2016-08-12  記者 蔡承啟 報導

近來東芝(Toshiba)、美光(Micron)布局3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的動作頻頻，讓身為NAND Flash龍頭廠、且是全球第一家量產3D NAND的南韓三星電子倍感威脅，不過三星也不是省油的燈，宣布第4代3D NAND產品將在Q4開賣。

南韓媒體朝鮮日報日文版12日報導，三星11日宣布，第4代V-NAND Flash(3D NAND)產品將在2016年Q4(10-12月)開賣，該款產品將採64層堆疊。三星指出，藉由採用64層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高30%、能有效改善成本競爭力。

三星為全球第一家量產3D NAND的廠商，於2013年研發出堆疊24層的3D NAND之後，就逐步將技術升級至32層、48層，此次則進一步提升至64層。

據報導，統籌三星半導體部門的金奇南社長表示，「預估在不久的將來將能夠開賣採用100層以上積層結構的1TB等級NAND Flash產品」，該款產品的儲存容量將達現行主流產品的4倍。

根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間12日上午8點27分為止，三星電子上揚0.64%。

TechRadar、ComputerWorld報導，美光8月9日宣布開發出該公司第一款3D NAND晶片，採48層堆疊，容量為32GB。這款3D NAND將用於中高階智慧機，支援全新的儲存標準UFS2.1。

美光宣稱，新品效能比前代提升40%，尺寸更是業界最小，美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒，體積縮小30%。新品已送樣給行動裝置廠，預定今年底廣泛出貨。

東芝7月27日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND製程技術，並自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。

東芝指出，採用上述製程技術的256Gb(32GB)產品預計將在2017年前半開始進行量產，主要用來搶攻數據中心/PC用SSD、以及智慧手機/平板電腦/記憶卡等市場，且今後也計畫推出512Gb(64GB)產品。

韓聯社7月12日報導，南韓三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND Flash全球銷售額創下歷史新高，Q1三星NAND Flash銷售額較去年同期成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市佔率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。

排名第二位東芝市佔率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光的18.8%、南韓SK Hynix則以10.6%的市佔率位居第4位。

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