通富微電(002156):同富士通半導體合設研發中心

通富微電（002156）公告，公司與富士通半導體株式會社擬建立合作研發平臺，利用半導體產業快速發展的機遇加快先進封裝技術成果的轉化及產業化。8月30日，雙方簽署了《合作設立研發中心意向書》。

　富士通半導體與公司第二大股東富士通（中國）有限公司同為富士通株式會社的全資子公司，同受富士通株式會社控制，為公司關聯方。

　研發中心設在通富微電。主任由公司董事長石明達擔任，副主任分別由雙方各推薦一名擔任。富士通半導體委派3-4名研發人員在研發中心工作。研發中心計劃在2010年年內開始運行。

　雙方共同協商制定研發中心的研發戰略、方向及項目。在今后1-2年內，研發的重點是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技術。

　通富微電稱，研發中心的設立，將加大公司研發新型封裝產品和技術的力度，有利于公司綜合技術水平的提升，有利于加快先進封裝技術成果的轉化及產業化。