利基型產品大成長 華邦電Q3虧損縮減64% 每股稅後純損0.27元

華邦電(2344-TW) 今(27)日舉行法人說明會，會中公布第 3季營收為新台幣 56.94億元，較第 2季的42億元成長 36%；第 3季稅後純損 9.83 億元，每股純損為0.27元，虧損幅度較第 2季大幅縮減 64%，主要受惠第3季傳統旺季需求強勁，出貨量和產品價格成長。累計前 3季營收為130.25億元，稅後純損 89.55億元，每股純損為2.46元。

華邦電總經理詹東義表示，第 3季進入傳統旺季，第 3季主要產品出貨量和產品價格 (ASP)均較第 2季增加，產能利用率達滿載水位，帶動營收成長，加上調整產品組合和降低成本結構，毛利率持續改善，稅後純損與每股純損均較第 2季大幅縮小，營運活動現金持續維持正流入。

綜觀主要產品線，詹東義指出，由於市場需求強勁，加上市占率提升，利基型記憶體(Specialty DRAM)單季業績季成長 53%，年成長 56%，為主要成長動能，也使利基型DRAM營收占比由第 2季的 37%，到了第 3季增加至 42%。

行動記憶體(Mobile RAM)鎖定中國市場，客戶在手機用多晶片封裝 (MCP)記憶體的需求，相較第 2季表現恢復至正常水準，單季業績季成長29%，年減約14%；行動記憶體在華邦電營收占比由第 2季的 12%，微幅變動為 11%。

快閃記憶體 (NOR Flash)部分，市場需求十分強勁，但單季業績僅成長約 10%，詹東義解釋，主因產能正由 8吋廠轉到12吋，8 吋廠出貨量不夠，12吋驗證時間又較預期稍久；也因此快閃記憶體營收占比由第 2季的18%下滑至第 3季的15%。

至於華邦電近期透過與德國奇夢達簽署繪圖記憶體(Graphics DRAM-GDDR)產品移轉及技術授權，將拓展繪圖記憶體市場新商機，詹東義表示，GDDR3 本季正投片試產轉量產，GDDR5也正以新的設計送客戶驗證中。

華邦電持續邁向利基型記憶體公司，但因為標準型DRAM價格持續走揚，華邦電在產能滿載中，仍彈性提供25% 產能給標準型記憶體，標準型記憶體單季業績成長17%，持續占華邦電營收比重達31%。