製程微縮產能損失大、明年下半DRAM將爆新行情？

MoneyDJ 新聞 2016-09-12   記者 陳苓 報導

明年下半 DRAM 供給可能會供不應求，韓媒指出，記憶體廠商轉進 20 奈米製程的產能損失，或許會讓 DRAM 陷入供給短缺，炒熱行情。

BusinessKorea 12 日報導，半導體和投資銀行的業界消息指出，2017 年 DRAM 需求預料將年增 19.3%，不過 2017 年 DRAM 每月產量將減少 2 萬組，從當前的 105 萬組、2017 年降至 103 萬組，主要是製程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是 30%，2017 年成長率可能減至 10%，加劇供給不足問題。

據了解，明年上半年是淡季，DRAM 可能會略為供給過剩。不過隨著美光 (Micron)、SK 海力士(SK Hynix) 轉進 20 奈米，產出減少；下半年傳統旺季到來時，業者又未增加投資，DRAM 將由供給過多變為供給不足。

業界觀察家預期，明年整體 DRAM 產品價格將下滑 9.8%，DRAM 成本減幅更大、約為 18%，意味廠商仍有利潤。

MoneyDJ 新聞 8 日報導，DRAM 記憶體報價在今年第三季止跌回升，南韓三星、SK 海力士等記憶體大廠營收有望受惠。

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報價顯示，DDR3 4Gb 顆粒現貨均價八月漲 2.99%，再前一個月更是彈升 7.2%。DRAMeXchange 指出，DRAM 報價連兩個月上漲，為近兩年半來首見，讓分析師進一步看好記憶體後市展望。DDR4 4GB 均價八月同步上漲 3.7%。

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