力晶:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I550749專利

第七條第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體晶圓、半導體晶片以及半導體裝置及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,800

4.其他應敘明事項:

為了解決在切割道切割半導體晶圓時探針測試墊殘留墊金屬造成的半導體晶片可

靠度惡化的問題，在具有複數個半導體晶片的半導體晶圓，具有形成於半導體晶

圓的切割區的複數個探針測試墊、形成於半導體晶片上的複數個直通矽晶穿孔、

與將各探針測試墊連接於各直通矽晶穿孔的線路層，而被構成為：在晶圓測試後

，藉由蝕刻移除複數個探針測試墊及線路層的一部分的至少其中之一。另外，半

導體晶圓還具有以覆蓋移除線路層的一部分時殘留的線路層的曝露面的形式形成

的保護膜。