三星行動DRAM明年Q2估將全面採20奈米以下製程生產
鉅亨網新聞中心 2016-10-31 15:34
MoneyDJ 新聞 2016-10-31 記者 陳瑞哲 報導
據集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 的預測,三星從明年第二季起,所有行動 DRAM 產品將全面採 20 奈米以下製程生產,速度之快將讓競爭者望塵莫及。
DRAMeXchange 預期,一直到明年第二季,20 奈米占三星行動 DRAM 比重將來到 83%,18 奈米則吃下剩餘的 17%,對照目前為止,20 奈米比重為 82%、18 奈米為 12%、25 奈米為 6%。(Hankyung.com)
如果 DRAMeXchange 預測正確,那麼從 10 月 20 日三星首度宣布量產 10 奈米 DRAM 後,到能完全以 20 奈米以下製程生產 DRAM,所花時間不到一年,這至少比美光等競爭對手快一年以上。美光目前還有兩成產品以 30 奈米生產,其它八成則以 20 奈米生產。
另外,DRAMeXchange 認為美光想在明年底前量產 10 奈米記憶體,難度非常高。
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