DRAM與Flash轉佳，力成明年Q1保持年成長

MoneyDJ 新聞 2016-11-21 09:12:40 記者 陳祈儒 報導

力成科技（6239）第 4 季在 NAND Flash、Mobile DRAM 與圖形 Graphic DRAM 的需求強勁、中國西安廠標準型 DRAM 的產出持續放量，本季營收有望維持季成長。在 DRAM 第 4 季標準型記憶體報價仍走升的預期聲中，將減少 28nm 晶圓供貨不及、力成邏輯 IC 本季貢獻度減少的影響，初估力成第 4 季毛利率就算是減少、幅度亦有限。而展望 2017 年第 1 季，在西安廠持續投產、手機儲存 eMCP 帶動 Flash 的挹注，明年初淡季不淡，並較 2016 年同期成長。

據 DRAMeXchange 表示，2016 年第 3 季適逢蘋果 iPhone 7 與三星 Note7 二大旗艦機備貨潮，雖然 Note 7 後來於第 4 季停產，但第 3 季備貨仍有助記憶體消化量與價格上揚。DRAMeXchange 指出，標準型記憶體也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量 8GB 記憶體比重亦持續增加，更讓第 4 季標準型記憶體合約價季漲幅逾 30%。

（一） 力成 Q4 營收季成長，毛利率因產品結構不同而略有變動：

在產能利用率大幅提升，力成第 3 季毛利率 22.5%、季增 1 個百分點，稅後盈餘 13.3 億元、季增 18%、年增 21%，符合預期。

展望第 4 季，受惠於 NAND Flash、Mobile DRAM 與 Graphic DRAM 需求強勁、西安廠標準型 DRAM 產出持續放量。儘管邏輯產品線營收將因 28nm 晶圓供貨不及而小幅下滑，但是法人仍預估，力成第 4 季營收季增 2% 至 130 億，封裝與測試產能利用率仍維持在相對高峰，有可能小幅季增。

高毛利率的邏輯 IC 營收比重降低，第 4 季毛利率也可能小幅下滑。

（二） 力成中國西廠產出量快速增加，挹注成長：

力成為主要客戶美光（Micron）接單 Mobile DRAM 的封裝與測試、標準型 DRAM 封裝、NAND Flash 封裝。

西安廠的 DRAM 封裝實際產出，由 2016 年 6 月單月產出約 2,000 萬顆，迄 10 月份產出已跳升至單月 5,000 萬顆。預期將持續逐月放量至 2017 的第一季的單月 1 億顆。力成中國西廠產出量快速增加。

（三） 力成 2017 年動力來自 Flash 用量增、SSD 滲透率提升：

展望 2017 年成長動能，主要來自 NAND Flash 受惠於手機的 eMCP 搭載量倍增，以及 SSD（固態硬碟）滲透率大幅提升，此外，客戶之一的 Intel（英特爾）大連新廠開始量產 3D NAND，以及高階封裝 Bumping 月產能倍增至 7.4 萬片、產能利用率維持 9 成以上。

而 2016 年資本支出 150 億元，已用於 Bumping、NAND 高階測試、西安廠 DRAM 封裝產能擴充，讓力成西安廠的封裝產能大增，預計 2017 年月產能力將挑戰至 1 億顆，也是力成明年的營收動力之一。