聯電14奈米報喜 客戶晶片進入量產 將因應需求擴產

晶圓代工聯電 (2303-TW) 今 (23) 日宣布，自主研發的 14 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 製程技術，已成功進入晶片量產階段，功耗比 28 奈米減少 50%，聯電表示，此客戶目前正在台南 Fab 12A 晶圓廠生產，未來將因應需求擴充產能。

聯電執行長顏博文表示，14 奈米目前也與其他客戶合作進行，將持續優化製程，充分發揮 14 奈米 FinFET 在效能、功耗與閘密度具備之優勢。

他指出，聯電開發新製程，將推動次世代矽晶片應用在網路、人工智慧與各類消費產品等各領域應用上。

聯電表示，14 奈米 FinFET 製程效能競爭力已達業界標準，速度較 28 奈米增快 55%，閘密度則達 2 倍，此外，功耗也較 28 奈米減少約 50%。同時，14 奈米 FinFET 製程已達量產規模，並在台南 Fab 12A 晶圓廠生產中，開始出貨，未來將因應客戶需求，穩步擴充其產能。