供不應求狀況更明顯 Server DRAM Q4合約價續漲6-10%

根據 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 調查顯示，由於北美資料中心的需求持續強勁，在 DRAM 供給端產能與製程受限制下，無法滿足整體伺服器記憶體市場需求，第 3 季度 Server DRAM 供不應求；DRAMeXchange 分析師劉家豪指出，第 4 季整體 Server DRAM 供不應求狀況將更明顯，推升合約價將持續上漲 6-10%，可望帶動廠商營收與利潤率表現再創新高；法人看好台廠南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 等可望受惠。

DRAMeXchange) 調查指出，受平均零售價 (Average Selling Price) 墊高帶動，三大 DRAM 原廠第 3 季營收成長約 25.2%；以目前市場規模來看，三星受惠於整體 DRAM 市場占有率與製程技術領先，在市場上 Server DRAM 表現格外亮眼。三星在高容量模組與布局相對積極，第 3 季度整體 Server DRAM 營收 25.49 億美元，季增 28.4%，占整體市場約 45.9%。

展望第 4 季度，來自伺服器的需求將達到今年的頂峰，高容量的模組需求也隨著新平台導入進而攀升至年度高點，Server DRAM 仍然供不應求。三星現階段仍然會持續針對各家 OEM/ ODM 調整供貨達成率，以達成滿足主要客戶需求與提高獲利水位的目標。

製程方面，三星今年 Server DRAM 仍以 20nm 產出為主，18nm 比重在第 4 季度將會提升至 40%，預期至 2018 年第 1 季底將逾 5 成，逐漸成為主流產品。在高容量晶片的規劃上，三星將會在其 18nm 導入 16Gb mono die 的設計，目前已送樣品至英特爾測試，預計在 2018 度第 2 季度導入生產線，預期將大幅改善 Server DRAM 的成本結構，有利於高容量模組布局。

受惠於北美資料中心備貨需求帶動，SK 海力士第 3 季營收 17.92 億美元，季增 30.1%，營業利益率也較第 2 季改善許多。從製程進展來看，SK 海力士 Server DRAM 仍以 21nm 為主，18nm Server DRAM 將會在 2018 年第 1 季底小量生產，預計在第 2 季度後產能逐步釋放，且隨著 ODM 認證進度與良率改善下，18nm 產量比重將會進一步提高。

從產能規劃來看，SK 海力士將會逐漸提高 M14 Phase 1 的產能及無錫廠 18nm 製程轉換，其中 Server DRAM 將占其 DRAM 產品比重逾 3 成，部分產能將會隨著市場需求而略為調整，以維持獲利水平。

面對伺服器訂單的熱絡，除產品線調整外，海力士也會提高高容量模組如 32G 與 64G 的出貨占比，預期明年高容量模組的出貨將會提升至 6 成水位。

受價格持續上漲及製程微縮所帶來的成本效益，美光第 3 季度 Server DRAM 位元出貨量較前一季度成長，平均銷售單價也有局部的躍升，激勵 Server DRAM 產品營收 12.07 億美元，季增 13%。

從產品面來分析，美光在 Server DRAM 的比重仍然維持在近 3 成水位，現階段獲利的持續增長完全有賴於記憶體平均銷售單價的提升。展望明年，美光將會隨著其 17nm 進展與改善而進行增產；截至目前，其良率已有進一步提升且已送樣，但在 Server DRAM 產品線的規劃上，仍將會視明年第 2 季後，良率是否能達到經濟規模下才會增加投片，現階段仍然以既有的 20nm 為主要產品。

DRAMeXchange 分析師劉家豪指出，進入第 4 季，在伺服器出貨動能不減的情況下，整體 Server DRAM 供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM 第 4 季合約價將持續上漲 6-10%，可望帶動廠商營收與利潤率表現再創新高。