微電子元件界年度最重要會議國際電子元件大會IEDM將在12/2-6舉行，每年約有10個次領域200篇論文發表，在記憶體技術次領域今年僅25篇入選，台灣產學研界合計17篇獲選，旺宏(2337-TW)入選4篇，其中探討3DNAND創新結構的論文更獲選為亮點論文(HighlightPaper)，是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文。旺宏指出，IEDM平均每年約有來自全球600篇論文投稿，最後經過極嚴謹的程序再評選出10個次領域約200篇在會中發表；在記憶體技術次領域，今年僅25篇入選，今年台灣產學研界獲選的論文總計有17篇(以第一作者統計)，包括產業11篇，及學研界6篇。旺宏表示，今年共有4篇論文入選，在這個領域的成果表現，領先各國際級記憶體大廠；旺宏進一步說明，獲選為IEDM亮點論文的研究成果，主要是揭露一個嶄新的3DNAND記憶晶胞架構，旺宏獨立研發的平坦垂直渠道型電晶體結構(Single-GateVerticalChannel,SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆疊層數卻可達到2-3倍的記憶體密度。旺宏說，根據論文研究成果顯示，旺宏的SGVC只要堆疊16層，其記憶體密度就可達到現行閘極環繞型結構(GateAllAround,GAA)所堆疊的48八層效果。旺宏指出，因記憶晶胞為平坦垂直渠道型電晶體結構，可大幅減少幾何效應對於整體電性的敏感度，適合需要頻繁讀取資料的各式應用，低層數的堆疊也有利於製程良率的提升，對未來發展高密度、高品質的記憶體提供更具競爭力的方案。其他入選的3篇技術論文，一篇是藉由電腦模擬的協助，降低3DNAND中相鄰Wordline(WL)的干擾問題；一篇則探討相變化記憶體所採用選擇器元件(Selector)的材料問題；另外篇則是探究ReRAM元件在高阻態(HighResistanceState)的變化機制。旺宏指出，自2003年起持續在IEDM發表論文，目前發表的論文數已超過60篇，近年來獲選的論文篇數常居台灣之冠，且幾乎每2-3年就有論文獲選為亮點論文，目前累積篇數已達6篇，2012年更同時有兩篇研究成果入選為亮點論文；今年大會特別推薦的16篇亮點論文，所有投稿的台灣企業及學術研究機構中，僅有旺宏入選。旺宏日K線圖
