TB世代來臨 群聯推第四代SmartTMECC支援3D QLC

個人資料量隨著照片、影音、遊戲的儲存需求只增不減，全球儲存消費者正朝向 TB 世代邁進，而日系及美系兩大國際快閃記憶體製造廠不約而同在今年開始推出 QLC 快閃記憶體 (NAND Flash) 高密度記憶體容量的 3D NAND Flash 以加速 TB 世代的來臨，有鑑於市場強勁需求，群聯電子 (8299) 宣佈，包括 USB、記憶卡、eMMC/UFS、SSD 等快閃記憶體控制晶片皆全面支援 QLC 規格，並正式推出第四代 SmartTMECC 以發揮 QLC 之極致效能。QLC(四階儲存單元)NAND Flash 技術具備高密度容量特性，相較於 TLC(三階儲存單元)規格的 NAND 的位元密度約高出 3 成以上，因此 QLC 規格產品的推出，將有助於帶動 TB(terabyte)等級大容量儲存裝置的普及化。群聯累積 18 年的快閃記憶體控制晶片自主設計開發經驗，與快閃記憶體製造廠共同研發支援高密度記憶體單元的快閃記憶體，包括從 SLC、MLC、TLC 至今日的 QLC 規格，具備完整晶片設計之自有技術，其中，控制晶片差異化特性的 NAND Flash ECC(Error Correction Code)的糾錯效能，群聯持續研發 SmartTMECC 技術，使用群聯電子控制晶片搭配任何 NAND Flash 皆可以提升資料保護的效能，為了發揮 QLC 最大效能，群聯也特別推出第四代 SmartTMECC。

群聯 SmartTMECC 之資料糾錯保護機制為，當資料被寫入到 NAND Flash 內部時，控制器同時會產生一組校正碼與資料一起存入，資料從 NAND 讀回時若發生錯誤，控制晶片會透過校正碼更正資料，若發生的錯誤無法透過 ECC 校正碼成功更正，這筆資料就會進入 SmartTMECC 的補救流程，藉由特別設計的 SmartTMECC 演算法修正資料，提昇資料可靠性。群聯全系列產品包含 SSD、eMMC/UFS、記憶卡及 USB 控制晶片均支援 QLC 規格 NAND Flash，與客戶共同掌握 TB 世代商機。