旺季帶動ASP上揚 DRAM第三季總產值將續創新高 南亞科、華邦電受益

進入下半年，各大 DRAM 廠已陸續洽談第三季合約價格，根據市調單位集邦科技釋出的訊息顯示，受惠於買方急欲增加庫存水位以及第三季傳統旺季需求來臨，即便供給位元成長逐季增加，平均銷售單價仍可望小幅上揚；在此趨勢下，包括南亞科 (2408)、華邦電(2344) 等受惠，而威剛 (3260)、宇瞻(8271) 等模組廠也有望雨露均霑。回顧第二季，各供應商陸續轉進 1X 或 1Y 奈米製程，雖然陸續傳出有良率不甚穩定或量產品出現品質疑慮的狀況，但相較第一季，供貨位元季成長仍有 3.2%。然而，就買方而言，由於庫存尚未達到安全水位，因此仍有相對穩健的拉貨動能，帶動 DRAM 整體均價呈現微幅季成長。

展望第三季，由於 1X 或 1Y 奈米的比重將持續增加，集邦預估，第三季供貨位元成長可望達 4.8%，但在旺季需求的支撐下，DRAM 價格仍會持續小幅上揚，帶動第三季 DRAM 總產值續創新高。

從產品別來看，第三季 DRAM 價格漲幅主要由伺服器記憶體與行動式記憶體帶動。伺服器記憶體的需求較第二季穩健提升，因此出貨至一線廠的主流伺服器模組價格仍有 1-2% 的上漲空間。但由於供貨率 (fulfillment rate) 至今年年初起一路提升，因此價格上漲有限，且第三季伺服器記憶體在一線廠與二線廠的報價區間不會有太大的差異。

以行動式記憶體而言，價格的漲幅主要由 Android 高階手機在高容量 LPDDR4 採用量提升所支撐。近期推出的高階手機已將 DRAM 容量提升至 6GB 甚至是 8GB，也使得 LPDDR4 系列不論是在分離式 (Discrete) 或者是 eMCP 的供應皆看緊。預期第三季整體行動式記憶體價格在高階機種的帶動下有機會出現 1-2% 的漲幅。

而繪圖用記憶體與利基型記憶體受到虛擬貨幣 (cryptocurrency) 需求驟減影響，原先預估的漲幅可能完全消失。尤其繪圖用記憶體經歷上半年的價格飆漲，恐怕導致價格在下半年出現下跌。

整體而言，雖然 10 奈米級帶來的位元成長不若先前世代明顯，但隨著供應商在今年上半年陸續導入，將持續貢獻未來數個季度的位元增長。以下半年來說，集邦認為，雖然需求在旺季支撐下可望維持穩健，但已可觀察到價格上漲幅度越來越小，在今年第四季更可能面臨持平開出的狀況。