聯電告美光 中國福州法院判決美光侵權 並禁止產品銷售

晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (3) 日宣布，中國福州中級人民法院今日發布針對美光半導體 (西安) 與美光半導體 (西安) 的初步禁令，禁止美光在中國銷售 26 個 DRAM 與 FLASH 產品，包含相關產品生產的 SSD 與記憶卡產品。

聯電總經理王石指出，聯電很高興看到此判決結果，將持續投資智慧財產權上，積極防禦任何侵犯聯電專利的事情。

聯電今年 1 月向中國大陸人民法院針對美光提起侵權訴訟，要求禁止美光銷售 DDR4、SSD 固態硬碟與顯卡相關內存應用產品，隨著福州中國人民法院判決結果出爐，美光產品恐無法在中國大陸銷售的情況。

聯電強調，過去投入許多資源與人力研發半導體技術，並將應用擴散到一般邏輯晶片或記憶體儲存晶片，並取得多個國家專利，聯電將持續監控專利，遇到有同業違規情事時，將隨時啟動專利侵權訴訟，維護智慧財產權，並要求取得補救措施。

聯電也指出，美光侵害公司專利權，使其對外宣稱聯電無記憶體晶片相關技術，而須竊取其營業秘密等指控，不攻自破。

聯電與美光的專利訴訟案，起源於聯電前年接受中國晉華委託開發 DRAM 相關技術，晉華提供設備與資金，聯電提供技術並取得報酬金，產品由雙方更有，不過產品尚未量產，聯電就遭美光提告，指員工竊取機密資訊投靠聯電，美光並在 2017 年底在美國加州也對聯電提起民事訴訟，控告聯電侵害美光營業秘密；市場解讀，美光的動作是要阻止聯電進入中國 DRAM 市場。

聯電在今年初對美光反擊，向中國福州市中級人民法院遞狀，針對美光提出 3 起訴訟案，請求法院判決要求銷毀侵權產品，也要求美光賠償人民幣 2.7 億元。