美光斥30億美元建新廠 研調認為對供給影響不大

記憶體大廠美光宣布將在 2030 年前，斥資 30 億美元，在美國維吉尼亞州擴建半導體廠，研調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 認為，美光初期的擴廠規畫將以 DDR3 或更早之前的產品為主，投產技術可能為 20nm 或更舊的技術，對美光的供給位元成長或整體產業來說，不會有劇烈的影響，真正可能對產業帶來重大衝擊的，是其他大廠 2020 年底完工的新廠執行狀況。

對此，DRAMeXchange 資深協理吳雅婷分析，以現階段而言，美光在維吉尼亞州的擴廠計畫除響應美國政府鼓勵當地投資的政策外，也是著眼於部分消費性產品與車用領域有對產品生命週期延長的需求。

吳雅婷預期，初期的擴廠規畫主要將以 DDR3 或更早之前的產品為主，投產技術也非目前最先進製程，主要是 20nm 或更舊的技術，對美光的供給位元成長或整體產業來說，不會有劇烈的影響。

不過，吳雅婷也說，後續值得觀察的是，大廠三星半導體、韓商 SK 海力士或是南亞科 (2408-TW) 等供應商，都因對後續市況樂觀，加上手上現金水位充足，紛紛提出建廠計畫，但這些新廠約在 2020 年底左右陸續完工，真正的產能新增執行狀況，才可能對產業產生重大的衝擊。