台積電法說前夕 三星宣布：正式採EUV「商業量產」7奈米

晶圓代工大廠三星電子 (5930-KR) 與台積電 (2330-TW) 的競爭火熱，台積電 7 奈米製程領先同業量產，且訂單吃香。三星則在週四 (18 日) 宣布，正式開始使用 7 奈米 LPP 製程生產晶圓，該製程使用極紫外光刻 (EUV) 技術。

為了追上台積電的生態系統，三星電子建立先進製程整合服務生態系統 (Samsung Advanced Foundry Ecosystem)，以及電子設計自動化基礎設施，同時三星詳細介紹其封裝能力。

此外，三星宣布，該公司正在開始採樣基於 16Gb DRAM 晶片的 256GB RDIMM，並計劃採用嵌入式 Xilinx FPGA 的固態硬碟 (SSD)。

三星可商業化量產 7 奈米為此次新聞之亮點，而與 10 奈米 FinFET 製程相比，7 奈米 LPP 製程可減少 40% 的晶片面積，使效能提升提高 20%，並降低 50% 的功耗。三星表示它現在擁有 50 家合作夥伴，包括 Ansys、Arm、Cadence、Mentor、Synopsys 和 VeriSilicon。

據傳 7 奈米 LPP 製程已吸引多方的興趣，包含網路巨頭與手機晶片大廠高通等。但是，三星預計明年年初之前不會發布客戶名單。

三星晶圓代工行銷總監 Bob Stear 表示，目前的 EUV 光刻機平均日常功率為 280W，從年初的 250W 有所提升，目前功率可支持每日產量達 1500 片晶圓，三星的目標為提升功率至 300 W。

Stear 指出，相較於傳統的氟化氬 (ArF) 浸沒技術，EUV 技術所需完成單層矽晶圓曝光的光罩較少，因此降低生產成本，提升良率。

車用部分，7 奈米製程預計將在今年年底前通過 1 級 AEC-Q100 認證。在封裝方面，三星正在開發一種 RDL 重布層，可在單個重布層上安裝高達 8 個高頻寬記憶體 (HBM)。