研調看好明年記憶體價格止跌反彈 次世代記憶體可望切入市場

研調機構集邦科技記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 認為，次世代記憶體與現有解決方案各有優劣，最關鍵的機會點仍是在於價格，預期明年在需求陸續回溫之下，加上庫存回補動能啟動，可望推升記憶體價格止跌反彈，也將讓次世代記憶體有機會切入市場。

DRAMeXchange 表示，現有記憶體解決方案面臨製程微縮的物理極限，要持續提升性能與降低成本，都更加困難，也因此，目前包含英特爾、三星與美光等記憶體廠商，皆已投入次世代記憶體解決方案，如 MRAM、PRAM 和 RRAM 等。

以 Intel 的 Optane 為例，是以 3DxPoint 為設計基礎的伺服器類產品，由於現在已推出與市面上伺服器模組能完全相容的 DIMM，對主機板設計廠而言，同樣的插槽可依據整機成本的考量，自由更換伺服器記憶體模組或 Optane 解決方案。

然而，次世代記憶體尚未規模化與標準化，成本較高，目前廠商幾乎都鎖定在資料中心等特殊應用，尤以超大規模資料中心，擁有相對高程度的客製化設計，可針對不同記憶體規劃新的配置。

近年來由於智慧終端裝置的普及加上人工智慧技術逐漸成熟，使得部分應用服務皆藉由伺服器進行統合，尤其是需要倚賴龐大數據進行運算與訓練的應用服務。且隨著虛擬化平台及雲儲存技術發展，對伺服器的需求與日俱增，也帶動超大規模資料中心的成長。

從市場面來看，DRAMeXchange 指出，目前 DRAM 與 NAND Flash 均處於供過於求情況，使現有記憶體解決方案價格維持低點。DRAM 受到伺服器與手機需求下滑影響，庫存水位攀高，帶動價格走跌；NAND 則因競爭者眾，陷入市占爭奪狀態，使今年 DRAM 與 NAND 價格同時滑落，且 NAND 價格正進逼廠商現金成本。

不過，DRAMeXchange 看好，現有記憶體解決方案價格越來越便宜，對次世代記憶體來說，並非最好的切入點，但未來在需求陸續回溫，加上價格彈性所帶動的庫存回補動能，可望推升明年記憶體價格止跌反彈，也讓次世代解決方案有機會切入市場，甚至未來幾年間，在資料中心等特殊領域中，可望逐漸增加次世代記憶體的運用。