中國紫光DRAM廠預計2021年投產 為台廠後市營運添變數

中國紫光集團繼 6 月底宣布籌組 DRAM 事業群後，昨 (27) 日更與重慶市政府簽署合作協議，將在重慶投資建置 DRAM 總部研發中心與 DRAM 廠等，其中，DRAM 廠預計今年底開工，並於 2021 年完工投產，屆時恐將影響 DRAM 市場供需，影響價格表現，不利南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 等台廠後市營運。

紫光集團今年 6 月底發文公告籌組 DRAM 事業群，由曾任中國工信部電子信息司司長刁石京擔任事業群董事長、高啟全擔任執行長，這也是中國在晉華遭到美國發布禁售令後，再次宣布將自主開發 DRAM 產品。

為加速擺脫對 DRAM 進口的依賴，紫光集團日前重慶市政府簽署「紫光存儲芯片產業基地項目合作協議」，將在重慶投資興建 DRAM 總部研發中心、DRAM 事業群總部、DRAM 晶片廠與紫光科技園等。

據中國媒體報導，紫光重慶 DRAM 廠將生產 12 吋 DRAM 晶片，預計今年底動工，2021 年完工投產。市場預期，待紫光重慶 DRAM 廠完工投產後，恐將影響 DRAM 市場供需，衝擊價格表現，也連帶對台廠營運帶來影響。

在進軍 DRAM 領域之前，紫光集團從 2016 年來，已相繼在武漢、南京與成都建置 3 座 NAND Flash 廠，日前並首次展出武漢長江存儲的 64 層 3D NAND 技術，預計今年底正式量產。