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看好5G拉貨潮 三星Q4資本支出將集中擴產DRAM、NAND Flash

鉅亨網編譯陳佾煒 2019-11-01 14:45


三星電子 (Samsung Electronics) 表示,今年該公司的投資總額為 29 兆韓元,接近去年的數字,資本支出的擴張投資包含半導體領域的 23.3 兆韓元,以及顯示器領域的 2.9 兆韓元

三星補充,今年第四季大部分資本支出將用於記憶體晶片產業的基礎設施。三星在今年前三季的總投資額為 16.8 兆韓元,並計劃在第四季增加 12.2 兆韓元


三星強化對記憶體的資本支出,主要是希望擴大加速記憶體領域之市占率,三星表示:「到今年年底,10 奈米級的 DRAM 產品將佔大約 80%,預估第二代 10 奈米級 (1y-nm) 的 DRAM 產品也將成為 2020 年上半年的主流,而第二代 10 奈米級 (1y-nm) 的產品也可以透過新的 EUV 極紫外光設備,穩定提高產量。」

三星在中國西安的第二家工廠也將於 2020 年初投入營運,而其位於韓國平澤 (Pyeongtaek) 的第二家工廠也將啟用,市場預期,三星的兩座工廠將分別擴產 NAND 快閃記憶體以及 DRAM 產品。

韓媒《Bussiness Korea》報導,由於蘋果 (AAPL-US) 即將發布的 5G 智慧型手機和 5G 服務,預計明年全球的半導體需求將大幅提升,並在美國及日本等地擴展。

另外,Intel(INTC-US) 也計劃在 2020 年下半年發布 Ice Lake 伺服器 CPU,預計亦將推動雲端服務商對 DRAM 和 SSD 的需求。

目前三星和台積電是唯二使用基於 EUV 設備的 7 奈米製程晶圓代工廠,對三星而言 ,增加資本支出對該公司在 2030 年拿下全球市場的領先地位,有其必要性。

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