聯電22奈米製程 可供28奈米客戶無縫接軌轉進

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 繼使用 USB 2.0 測試載具通過矽驗證後，今 (2) 日宣布 22 奈米製程技術就緒，且最新的特殊製程，可讓 28 奈米客戶在無需更改現有 28 奈米設計架構下，無縫接軌 22 奈米製程。

聯電指出，相較一般 USB 2.0 PHY IP，用於驗證的 USB 測試載具使用面積為全球最小，且新的晶片設計可使用 22 奈米設計準則、或遵循 28 奈米到 22 奈米的轉換流程 (Porting Methodology)，無需更改現有的 28 奈米設計架構，客戶可使用新的晶片設計，或直接從 28 奈米，移轉到更先進的 22 奈米製程。

聯電矽智財研發暨設計支援處長陳元輝表示，聯電持續推出新的特殊製程技術，用以服務 5G、物聯網和車用等需求所帶動的快速成長晶片市場，22 奈米製程平台擁有基礎元件 IP 支援，提供消費性電子機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片，及需要較長電池壽命的可穿戴裝置理想選擇。

聯電 22 奈米製程與原先的 28 奈米高介電係數 / 金屬柵極製程相較，優勢在於縮減 10% 晶粒面積、擁有更佳功率效能比，及強化射頻性能等特點，也提供與 28 奈米製程技術相容的設計規則，及相同的光罩數的 22 奈米超低功耗版本 (22uLP)、22 奈米超低洩漏版本 (22uLL)。

聯電指出，22uLP 和 22uLL 所形成的超級組合，可支援 1.0V 至 0.6V 的電壓，協助客戶在系統單晶片 (SoC) 設計中，同時享有 2 種技術優勢。