盛美清洗集成設備正式商用 搶攻台、中、韓三市場

半導體設備供應商盛美宣布，槽式與單片晶圓清洗集成設備已正式商用，Ultra C Tahoe 清洗設備可應用在光刻膠去除、刻蝕後清洗、離子注入後清洗、CMP 後清洗等製程，將提升了清洗製程效果，並降低硫酸廢液排放量，可望解決土地掩埋受限問題，搶攻台灣、上海、韓國等市場。

盛美指出，目前半導體產業對排放廢硫酸的處理方法欠佳，仍有部分地區，如美國，仍使用填埋式處理，可能會有污染環境的風險，在部分土地資源受限的地區，如韓國、台灣、上海等，高溫純化處理方法則是另一種選擇，不過，高溫純化處理將面臨能源耗費以及溫室氣體排放等一系列問題。

盛美執行長王暉表示，僅憑槽式清洗，無法滿足 28nm 及以下製程節點的性能要求，雖然使用單片清洗提高了清洗制程效果，但卻提高硫酸消耗量， 而 Tahoe 設備與單片晶圓清洗設備的效果相當，且消耗的硫酸量僅為單片晶圓清洗設備的一部分，預計可使半導體產業技術繼續向下延伸，又兼顧環保問題，同時節省在廢液排放的開支。

Ultra C Tahoe 清洗設備在單個濕法清洗設備中集成了兩個模組，在槽式模組中，配有硫酸雙氧水混合液 (SPM) 清洗與快速傾卸沖洗 (QDR)，SPM 製程藥液在獨立的槽式模組中迴圈使用，與單片 SPM 清洗相比，至少可減少 80% 的硫酸廢液排放。

盛美指出，從設備用戶端的產線資料來看，在 30nm 條件下，與傳統槽式 SPM 清洗設備相比，集成式的 Tahoe 清洗設備可將晶圓上的顆粒數從數百顆降低到 10 顆，以每日處理 2000 片晶圓為例，Tahoe 清洗設備每日消耗硫酸僅不到 200L，與單片 SPM 設備相比，每日可減少超過 1600L 硫酸廢液的排放。