三星跳電事件推升客戶備貨意願 DRAM合約價本季反轉向上

研調機構 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 最新調查指出，近一個月來 DRAM 現貨價持續走揚，加上去年 12 月 31 日三星華城廠區發生跳電，推升買方備貨意願增強，再修正今年首季 DRAM 合約價預測，由「大致持平」調整為「小漲」，價格正式提前反轉向上。

TrendForce 指出，雖然整體記憶體的供給，並未因三星華城廠區跳電事件，而受到重大影響，但各產品買方備貨意願已進一步增強，預期今年首季合約價將正式反轉。

TrendForce 也預期，第 1 季標準型、行動式及利基型記憶體價格，將由「小跌」轉為「持平或小漲」。其中，標準型記憶體方面，雖然首季價格仍在議定中，但預估持平甚至小漲可能性高。

TrendForce 指出，先前受美中貿易戰不確定性影響，大部分銷往美國的筆電，都趕在去年第 4 季出貨，導致今年首季出貨較疲弱，但考量今年 DRAM 供給位元成長幅度僅不到 13%，加上三星跳電事件的影響，PC OEM 廠已做好 DRAM 將漲價的可能，積極建立庫存水位，在採購上願意接受持平或更高的模組合約價；若原廠能夠在第 1 季增加供貨量，買方甚至願意接受更高的價格，以確保安全庫存水位。

行動式記憶體方面，雖然第 1 季智慧型手機市場受惠 5G 題材有所支撐，但 5G 晶片初期供應數量有限，加上傳統淡季影響，拉貨動能仍偏弱，不過，去年 12 月中起，除伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫，帶動整體價格走勢提前反轉外，NAND Flash 供應告急同樣激勵 eMCP 價格表現，對行動式記憶體價格預估由「小跌」調整為「大致持平」。

至於利基型記憶體，由於三星華城廠區 DRAM 生產重心主要為 20/25nm 利基型記憶體，加上受現貨市場價格上揚影響最直接，利基型記憶體價格可望因此提早反彈。TrendForce 認為，雖然鎖定季度合約價第一線大客戶有機會守住持平，但原廠供貨達成率不到 6 成，加上採購端先前未積極備貨，導致庫存偏低，月合約價可能開始逐月向上。