〈華邦電法說〉二大因素衝擊 去年Q4轉虧 全年EPS 0.32元

記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (7) 日召開法說，並公布去年第 4 季財報，受到 DRAM 價格下滑衝擊，加上 25 奈米新製程開發成本高二大因素影響，單季營運轉虧，稅後虧損 1.47 億元，每股虧損 0.05 元，創近 27 季新低，惟全年仍獲利，稅後純益 12.56 億元，年減 81%，每股純益 0.32 元。

華邦電去年第 4 季合併營收 124.53 億元，毛利率 22%，季減 5 個百分點，年減 12 個百分點，營益率 - 1%，較上季的 4%、去年同期的 10.4% 轉負；稅後虧損 1.47 億元，較上季與去年同期轉虧，每股虧損 0.05 元。

華邦電去年營收 487.71 億元，年減 4.7%，毛利率 27%，年減 10 個百分點，營益率 3%，年減 12 個百分點；稅後純益 12.56 億元，年減 81%，每股純益 0.32 元。

華邦電去年第 4 季 NOR Flash 營收占比達 46%，NAND Flash 9%，DRAM 占比 45%。從全年來看，去年 DRAM 營收占比達 49%，營收年減 14%，主要受到產品價格下滑影響；Flash 營收占比達 51%，全年出貨量創新高。

從去年記憶體產品營收應用來看，消費性電子占比 28%、通訊電子 30%、電腦相關 22%、車用與工業用相關 20%。