前日本美光社長、現紫光高級副總裁 大談中國DRAM發展

中國國營半導體企業紫光集團，在去年 11 月 15 日時宣布迎來日本美光記憶體 (Micron Memory Japan) 公司前社長坂本幸雄，來擔任紫光集團的高級副總裁，以及日本子公司的 CEO，日前《日本經濟新聞》對他進行專訪，坂本幸雄在訪談中也透露了諸多訊息。

坂本幸雄在談及中國的 DRAM 發展現狀時，認為紫光、晉華、長鑫是最主要的廠商，然而晉華遭美國司法部認定他們涉嫌非法取得美光 (MU-US) 的 DRAM 儲存技術，目前正纏訟當中。紫光為了避免類似風險，在研發過程中也將聘請法律專家。

坂本幸雄並表示，DRAM 的設計與製造，需要部門間的密切配合，所以資深技術人員的確保也就顯得格外重要。也由於中國國內缺乏此類人才，紫光也從 2 月起開始徵才，希望在年內可招募到 50 人左右，加上目前約 200 名來自從前奇夢達的工程師，未來希望有 200 名在中國，100 名在日本，而 NAND 則由美國西岸的研發據點負責。

另外，紫光瞄準中國龐大市場，也計畫在重慶設廠，力拼 3 年後開始量產。

而專訪問到紫光是否該以晉華的例子作為前車之鑑，應該推動生產設備的國產化，以避開採購上的風險時，坂本幸雄則對此回答表示，中國的生產設備國產化，應該需要 10 年時間，還有紫光的營運紀錄清白，應該不用擔憂設備採購的風險。