長江存儲如期發表128層3D NAND 明年市場競爭加劇

研調機構集邦科技 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 調查，中國 NAND Flash 廠長江存儲 128 層 3D NAND 產品，預計第 3 季投片、年底前量產，預估長江存儲新品可能率先影響第 4 季 Wafer 市場合約價，明年 NAND Flash 產能將占整體市場 8%，市場競爭將更嚴峻，長期價格面臨續跌壓力。

中國 NAND Flash 廠長江存儲已在第 1 季將 128 層 3D NAND 樣品，送交存儲控制器廠，目標第 3 季進入投片、年底前量產，擬用於 UFS、SSD 等各類終端產品，並同時出貨給模組廠。

考量客戶導入時程，TrendForce 預估，長江存儲新品可能率先影響第 4 季 Wafer 市場合約價，並從明年起對 Client SSD、eMMC/UFS 等市場供給，產生實質貢獻，在供給增加情況下，價格下跌可能性也將提高。

TrendForce 表示，受到疫情影響，智慧型手機及筆電等終端需求將受到不小衝擊，並對 NAND Flash 主流供應商獲利能力造成影響，壓抑未來持續擴產幅度。相較之下，長江存儲目前在各類應用市占規模仍小，受疫情影響較低，目前目標著重與 OEM 進行 64 層 TLC 相關產品導入及提升良率，趕在今年內送交 128 層產品樣品，將同時包含 TLC 及 QLC 產品，以擴大客戶基礎。

隨著 3D NAND Flash 堆疊達到 90 層以上，主要供應商在更高層數蝕刻，及堆疊技術的發展難度逐漸增加。觀察各供應商技術路線圖，在 1XX 層產品世代已有分歧，儘管三星、SK 海力士已推出 128 層產品，但鎧俠 / 威騰、美光、英特爾的 112/128/144 層產品，要下半年才會放量，相較前幾代 3D NAND 產品發展進程更久，有利長江存儲 128 層產品迎頭趕上。

此外，去年 NAND Flash 價格平均跌幅達 46%，導致主要供應商陷入虧損，資本支出轉趨保守，產能增加規劃也創新低，讓長江存儲有拉近差距的機會。長江存儲目前擁有武漢廠，今年目標為成都廠投產，並逐步完成武漢廠區剩餘 2 座廠房興建與擴產。

TrendForce 指出，除擴產規劃積極，長江存儲也是中國大基金重點扶植廠商，可預期 NAND Flash 市場競爭將更為嚴峻，長期價格面臨持續走跌的壓力，預估明年長江存儲產能將占整體 NAND Flash 約 8%。