〈政院推台灣轉型〉打造半導體先進製程中心 目標2030年產值達5兆

行政院長蘇貞昌今 (2) 日於院會裁示，未來要將台灣打造成為亞洲高階製造、半導體先進製程二大中心，爭取國內外大廠在台投資，並建構完整的設備、材料供應鏈在地化，未來投資額上看 1.2 兆元，目標 2030 年半導體產值達 5 兆元。

工業局副局長楊伯耕說明，半導體先進製程中心方面，將完備半導體產業生態系，主要利用國內半導體產業發展需求，扶植國內材料與設備產業。

楊伯耕指出，我國晶圓代工、IC 專業封測位居全球第一，IC 設計及總產值為全球第二，國內需求相當大，去年設備及材料皆占全球約 4 分之 1，預估未來投資將超過 2.72 兆元，設備採購估達 1.9 兆元。

半導體材料的部分，楊伯耕表示，未來將推動供應在地化，透過引進外商投資設廠，前段包括光阻、研磨後清洗液，後段則是封裝材料及無機粉體，目前都持續在推動中，此外，也希望已在台設廠的外商能持續擴大投資。

為推動技術自主化，政府希望外商來台設立研發中心，透過研發投資抵減，鼓勵先進技術在台扎根，例如推動開發深紫光光阻、原子層沉積材、晶圓材料等，此外，政府將建置材料與元件驗證平台。

至於半導體設備方面，政府也希望推動在地化，首先引進外商投資、盤點需求，再來建置在地供應鏈，扶植台廠與國際技術媒合，最後則是人才資金補助，藉由全球研發創新夥伴計畫吸引優秀國際人才。

此外，在先進封裝設備國產化上，楊伯耕指出，政府將給予補助，協助國內設備製造商驗證並改善製程，為國內半導體大廠生產所需的設備，指標客戶如台積電 (2330-TW)、日月光與矽品、聯電 (2303-TW)、力成 (6239-TW) 等。

楊伯耕強調，半導體先進製程中心及亞洲高階製造中心未來將投資 1.2 兆元，目標 2030 年我國半導體產值達到 5 兆元，讓台灣半導體維持領先地位，並搶占全球供應鏈的核心地位。