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〈記憶體整併潮〉海力士吃下英特爾NAND 集邦:企業級SSD可發揮綜效

鉅亨網新聞中心

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  • 韓國記憶體大廠 SK 海力士今 (20) 日宣布,將以 90 億美元收購英特爾 (Intel)NAND flash、固態硬碟 (SSD) 事業及其中國大連廠房

韓國記憶體大廠 SK 海力士今 (20) 日宣布,將以 90 億美元收購英特爾 (Intel)NAND flash、固態硬碟 (SSD) 事業及其中國大連廠房,市調機構集邦 (Trendforce) 指出,這項合併案開啟 NAND Flash 產業整併序幕,兩家公司在企業級 SSD 領域可望發揮綜效,市占將超越鎧俠躍居第二,僅次龍頭三星。 

集邦表示,SK 海力士除了併購英特爾 NAND flash 及 SSD 事業外,並將依規定向中、美、韓等國政府機關申請許可,收購英特爾位於大連專門製造 3D NAND Flash 的 Fab68 廠房,預計在 2021 年底前完成收購。

根據集邦數據顯示,SK 海力士與英特爾今年第二季的營收市占率為 11.7% 及 11.5%,分別位於第 4 及第 6 名。若再以產品競爭力詳細區分,以去年來看,SK 海力士在 NAND Flash 的強項為手機領域,其中包含 eMCP 及 eMMC 產品,占 SK 海力士 NAND Flash 總營收的 6 成以上。

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集邦進一步指出,英特爾長年在企業級 SSD 領域表現優異,不但與三星並駕齊驅,中國市占甚至超過五成,以 NAND Flash 所有終端應用來看,企業級 SSD 為獲利最佳的產品。

以產能面來看,SK 海力士目前的 NAND Flash 投片產能全數位於南韓;英特爾的 NAND Flash 產能則全數位於中國大連。英特爾是所有 NAND Flash 廠商當中最著力推廣採用 QLC 結構者,預計年底前將占其產出逾 3 成。以技術面來看,目前英特爾仍堅持以 Floating Gate 為 3D NAND Flash 的主要生產結構,不同於其他廠商所採用的 Charge Trap 結構,在蝕刻的技術難度上有相當差異。

集邦預期,SK 海力士取得英特爾的 3D NAND Flash 產能後,NAND Flash 市占將達 20% 以上,超越原先排名第二的鎧俠、僅次三星。SK 海力士在企業級 SSD 領域的競爭力可望大幅躍升,但後續應著墨在雙方不同產品架構間取得平衡,以達到最大綜效。

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此外,需要特別留意的是,此次收購案僅限於 3D NAND Flash 相關技術與產能,並不包含近期相當受到市場關注的新興記憶體技術 3D-XPoint。

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