〈觀察〉兆易創新擴大投入DDR3 二因素撐腰台廠不受波動

兆易創新今年來積極切入 DRAM 領域，明年更將進一步擴大 DDR3、DDR4 在長鑫存儲的投片量，在紅色供應鏈大舉來襲下，市場憂心恐干擾明年利基型 DDR3 記憶體市況，不過，業者認為，受限專利認證、資安等疑慮，即便明年兆易創新相關產能增加，對整體市場也不會有太大影響。

三星為擴大投入 CMOS 影像感測器，以分食大廠 SONY 的市占率，已通知 4G DDR3 客戶，明年不再生產 DDR3；在三星淡出市場下，有助 DDR3 價格穩定，市場供給缺口也再度出現。

鈺創 (5351-TW)  認為，記憶體需求並未降溫，且在市場供給轉緊下，根本沒有降價空間，看好明年第一季或第二季，利基型 DRAM 可能又會缺貨；晶豪科 (3006-TW) 也預期，隨著 5G、物聯網等應用持續增加，明年利基型 DRAM 供需仍將吃緊，不會有跌價壓力，第二季甚至有機會全面漲價。

就在市場對明年 DDR3 記憶體前景一片看好之際，傳出兆易創新將擴大投入 DDR3 領域，加入分食市場份額，為利基型 DRAM 市況再掀波瀾。

兆易創新主力產品為 MCU、NOR Flash 及感測器等，去年起開始銷售 DRAM，與長鑫存儲緊密合作，今年 6 月更推出首款自有品牌 DRAM 產品。

從今年前 11 月來看，兆易創新自有品牌 DRAM 交由長鑫代工金額僅 0.3 億美元，但兆易創新表示，隨著公司不斷推出自研 DRAM 新品，由長鑫存儲代工的 DDR3、DDR4 金額將大幅增加，預估明年相關金額將拉升至 1.35 億美元。

市場原先樂觀看待明年利基型 DRAM 市況，但在紅鏈來襲下，市場開始憂心恐干擾明年 DDR3 價格走勢。不過，包括南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 等台廠同聲認為，專利認證、資安疑慮等議題，仍是阻撓中國 DRAM 廠取得國外訂單的最大痛點。

業者認為，相關 DRAM 產品會優先銷往對品質標準較低的消費性市場，或部份不須太嚴格認證的低階市場，以中國國內自有需求為主，要銷往海外有一定的難度，對整個市場沒有太大影響。