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雷科參與SiC晶柱雷射切割研發聯盟 簽署MOU

鉅亨網記者彭昱文 台北 2021-12-11 11:38

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SiC晶柱雷射切割研發聯盟簽署MOU。(圖:雷科提供)

設備廠雷科 (6207-TW)10 日與金屬中心、真興科技簽署碳化矽 (SiC) 晶柱雷射切割研發聯盟合作備忘錄,共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備,透過產研合作突圍國外競爭對手在碳化矽雷射切割技術的壟斷。

據了解,由於碳化矽高硬度的特性,若使用傳統鑽石線切割碳化矽的晶錠,不但磨耗大、切割速度慢,表面平坦度也較差,但若採用雷射面切割技術,讓切割時間可大幅減少約 85%、材料耗損減少約 70%。

不過,國際唯二的先進雷射切割設備尚未對外銷售,因此,此次雷科、金屬中心以及真興透過產研合作,開發碳化矽晶柱雷射切割技術及設備,就是希望能突破國際大廠壁壘,加速台灣化合物半導體的發展。

而雷科長期投入開發各項雷射切割設備,累積相關技術;真興也在雷射光學光路設計擁有獨特技術能量;金屬中心則將投入雷切設備機構與電控設計、晶片研磨以及檢測驗證技術,協助業者快速將技術實現商品化。






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