雷科參與SiC晶柱雷射切割研發聯盟 簽署MOU

設備廠雷科 (6207-TW)10 日與金屬中心、真興科技簽署碳化矽 (SiC) 晶柱雷射切割研發聯盟合作備忘錄，共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備，透過產研合作突圍國外競爭對手在碳化矽雷射切割技術的壟斷。

據了解，由於碳化矽高硬度的特性，若使用傳統鑽石線切割碳化矽的晶錠，不但磨耗大、切割速度慢，表面平坦度也較差，但若採用雷射面切割技術，讓切割時間可大幅減少約 85%、材料耗損減少約 70%。

不過，國際唯二的先進雷射切割設備尚未對外銷售，因此，此次雷科、金屬中心以及真興透過產研合作，開發碳化矽晶柱雷射切割技術及設備，就是希望能突破國際大廠壁壘，加速台灣化合物半導體的發展。

而雷科長期投入開發各項雷射切割設備，累積相關技術；真興也在雷射光學光路設計擁有獨特技術能量；金屬中心則將投入雷切設備機構與電控設計、晶片研磨以及檢測驗證技術，協助業者快速將技術實現商品化。