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談遭台積電超車 英特爾CEO:正超前進度迎頭趕上

鉅亨網記者林薏茹 台北
談遭台積電超車原因 英特爾CEO:正超前進度迎頭趕上。(圖:AFP)
談遭台積電超車原因 英特爾CEO:正超前進度迎頭趕上。(圖:AFP)

英特爾 (INTC-US) 執行長基辛格 (Pat Gelsinger) 周三 (19 日) 受訪,將半導體產業龍頭地位遭三星、台積電 (2330-TW)(TSM-US) 超車原因,歸咎於傲慢自大,他並說,英特爾正在迎頭趕上、且是照進度或超前進度中,持續進逼台積電龍頭地位。

基辛格周三接受彭博社採訪,除敦促美國與歐洲竭力將晶片製造帶回本土外,也再重申將重返半導體產業龍頭廠的決心。

基辛格認為,英特爾在半導體產業領先數十年後,有點傲慢、也有點狂妄自大,對自己的技術感到自滿,因此被三星、台積電超車。

不過,基辛格也說,將在未來 4 年內推出 5 個製程節點,展開前所未有的步調與執行力。

英特爾去年 7 月揭示先進製程技術藍圖,將從 4 奈米製程起採用極紫外光 (EUV) 微影技術,2023 年下半年量產 3 奈米製程,2024 年跨入 Intel 20A(即台積電的 2 奈米)、並逐步量產。

英特爾除頻頻對外喊話要重返產業龍頭地位,近日也搶先台積電一步,成為艾司摩爾 (ASML) 下世代 High-NA 量產型 EUV 曝光機 EXE:5200 的首家客戶,而台積電先前已向 ASML 採購研發型機台,業界預期,隨著寶山 2 奈米廠啟動建廠,台積電今年也可望跟進採購量產型 EUV 曝光機。

除英特爾宣示要在 2024 年量產 Intel 20A(2 奈米) 製程,三星先前也放話 2025 年要超車台積電,搶先量產 2 奈米;面對對手放話超車,台積電總裁魏哲家在去年 10 月法說會上,信心十足回應,2025 年台積電 2 奈米製程不論是密度或是效能,都將是最領先的技術。

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