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英特爾證實砸200億美元在俄州設廠 矢言打造地表最大晶圓生產地

鉅亨網編譯余曉惠
英特爾證實砸200億美元在俄州設廠 矢言打造地表最大晶圓生產地 (圖:AFP)
英特爾證實砸200億美元在俄州設廠 矢言打造地表最大晶圓生產地 (圖:AFP)

英特爾預定周五 (21 日) 宣布美國生產半導體的下一階段計畫,路透稍早報導,英特爾已向時代雜誌 (TIME) 證實,將斥資 200 億美元在俄亥俄州哥倫布區近郊設置晶圓廠。

TIME 獨家獲得英特爾證實新廠將落腳俄州。英特爾稍早僅透露,「將分享有關製造領先地位的最新投資計畫」。

根據報導,新廠地點位於俄州哥倫布區近郊的新奧爾巴尼 (New Albany),英特爾將在占地 1000 英畝的土地上興建至少兩座製造廠,以研發和生產最先進晶片,預定聘僱至少 3000 人。

新廠房預定今年動工,2025 年之前可望開始營運。英特爾有權把腹地擴大到 2000 英畝,並興建最多八座晶圓廠。

這將是俄州史上最大規模投資案,也替美國中西部沉寂多年的製造業注入活水。

英特爾執行長季辛格 (Pat Gelsinger) 說:「我們的期許是,把這裡變成地表上最龐大的矽晶圓製造據點。我們幫助打造了矽谷 (Silicon Valley),現在我們要打造矽心臟地帶 (Silicon Heartland)。」

美國正積極推動半導體本土製造,根據半導體產業協會 (SIA),在外國政府大力補助下,美國本土製造的晶片占比已經從 1990 年代的 37% 降為 12%。SIA 說,比起台灣、南韓或新加坡,在美國興建和營運晶圓廠十年下來的成本高出 30%。

拜登政府亟欲推動 520 億美元「晶片法案」(CHIPS Act) 以扶植半導體業發展、並和中國抗衡,該法案去年在參議院通過,卻在眾議院卡關。

不過眾議院議長佩洛西 (Nancy Pelosi) 周四表示,眾院版本的法案「即將準備完成立法」,之後可與參院版本合併,朝通過法案過關邁出關鍵一步。

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