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缺料影響拉貨 去年Q4 DRAM總產值季減5.8%

鉅亨網記者林薏茹 台北
缺料影響拉貨 去年Q4 DRAM總產值季減5.8%。(圖:AFP)
缺料影響拉貨 去年Q4 DRAM總產值季減5.8%。(圖:AFP)

據研調機構 TrendForce 指出,由於零組件供應受阻,導致市場對相對長料的記憶體拉貨意願下滑,多數 DRAM 原廠去年第四季出貨量呈現衰退,拉貨動能下降,導致 DRAM 報價反轉向下,DRAM 總產值季減 5.8%,來到 250.3 億美元,今年第一季總產值可能進一步下滑。

展望第一季,部分零組件缺料可見紓緩,但第一季本來就是需求淡季,買方庫存仍偏高,多數採購端將優以去化庫存為主,整體拉貨動能低迷。TrendForce 預期,今年第一季 DRAM 價格會較去年第四季面臨更大壓力。

TrendForce 認為,今年第一季 DRAM 跌勢恐加劇,DRAM 供應商將面臨更大幅的獲利衰退,原廠僅能透過拉升先進製程比重,及產品組合優化,以減少報價帶來的壓力。

為因應可能面臨的 DRAM 市況反轉,TrendForce 指出,南亞科 (2408-TW) 可將其 20 奈米產能在 DDR4 市況不佳時,轉而生產毛利較好的 DDR3,並投入更多資源研發 1X 奈米製程,若良率提升快速,可提早在 2024 年新廠完工前,帶來位元貢獻。

華邦電 (2408-TW) 除持續將重心鎖定利基型小容量產品,同時強化 25 奈米及下一代 20 奈米研發,盼高雄路竹廠量產時能直接導入;力積電 (6770-TW) 則透過與客戶簽長約,提前部署今年投片,並配合市況及毛利高低,在邏輯 IC 與記憶體產品間做產能調配。

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