缺料影響拉貨 去年Q4 DRAM總產值季減5.8%

據研調機構 TrendForce 指出，由於零組件供應受阻，導致市場對相對長料的記憶體拉貨意願下滑，多數 DRAM 原廠去年第四季出貨量呈現衰退，拉貨動能下降，導致 DRAM 報價反轉向下，DRAM 總產值季減 5.8%，來到 250.3 億美元，今年第一季總產值可能進一步下滑。

展望第一季，部分零組件缺料可見紓緩，但第一季本來就是需求淡季，買方庫存仍偏高，多數採購端將優以去化庫存為主，整體拉貨動能低迷。TrendForce 預期，今年第一季 DRAM 價格會較去年第四季面臨更大壓力。

TrendForce 認為，今年第一季 DRAM 跌勢恐加劇，DRAM 供應商將面臨更大幅的獲利衰退，原廠僅能透過拉升先進製程比重，及產品組合優化，以減少報價帶來的壓力。

為因應可能面臨的 DRAM 市況反轉，TrendForce 指出，南亞科 (2408-TW) 可將其 20 奈米產能在 DDR4 市況不佳時，轉而生產毛利較好的 DDR3，並投入更多資源研發 1X 奈米製程，若良率提升快速，可提早在 2024 年新廠完工前，帶來位元貢獻。

華邦電 (2408-TW) 除持續將重心鎖定利基型小容量產品，同時強化 25 奈米及下一代 20 奈米研發，盼高雄路竹廠量產時能直接導入；力積電 (6770-TW) 則透過與客戶簽長約，提前部署今年投片，並配合市況及毛利高低，在邏輯 IC 與記憶體產品間做產能調配。