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〈觀察〉NAND供給缺口難解 最快4月起將缺貨

鉅亨網記者林薏茹 台北
第二季NAND Flash供給缺口預期難解。(圖:AFP)
第二季NAND Flash供給缺口預期難解。(圖:AFP)

受鎧俠、威騰 3D NAND Flash 廠原料遭汙染事件影響,第二季 NAND Flash 供給缺口預期難解,記憶體模組廠普遍預期,4、5 月起面臨缺貨,除第二季價格將翻揚外,漲勢也可望相當強勁。

威騰、鎧俠旗下位於日本四日市、北上兩座廠房產能受原料汙染影響,由於其分別為全球第四大與第二大 NAND 晶片廠,廠區原料汙染消息傳出後,市場初估有 6.5EB 位元 NAND 晶片產出受影響,將推升 NAND 報價提前止跌回升。

宇瞻 (8271-TW) 指出,產出受汙染的主要在蝕刻材料上,導致整批晶片報廢,從生產流程與瑕疵問題來看,受影響的 NAND 晶片產出超出原先預期的 6.5EB,4 月開始基本上就沒有東西能產出、或僅少量產出。

宇瞻認為,從已知的資訊來看,此事件對產業供給帶來的嚴重性相當大,縱使現在沒感覺,3 月起價格將開始向上,隨著第三季需求旺季來臨,將助威第二季漲價,上半年 NAND 將面臨缺貨。

群聯 (8299-TW) 也認為,此事件影響很嚴重,加上市場對 NAND Flash 需求本來就很強勁,預期產出受影響情況,4、5 月就會顯現,且最快 4 月就可能出現缺貨。

在威騰發函客戶漲價後,美光也傳出 NAND 合約、現貨價雙漲,合約價漲 17-18%,現貨價超過 25%。市場看好,隨著缺貨態勢大致確立,第二季價格上漲力道,可望較先前預期強勁。

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