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三星晶圓代工高層大洗牌 拚3奈米製程較勁台積電

鉅亨網記者林薏茹 台北
三星晶圓代工高層大洗牌 拚3奈米與台積電較勁。(圖:AFP)
三星晶圓代工高層大洗牌 拚3奈米與台積電較勁。(圖:AFP)

據韓媒報導,三星電子已撤換負責開發下一代晶片的半導體研發中心負責人,晶圓代工業務高層也遭洗牌,由記憶體專家帶領晶圓代工事業核心部門;業界認為,三星先進製程屢傳良率不佳,在即將搶先量產 3 奈米之際,大刀闊斧進行高層大搬風,是為加速提升先進製程良率,以與台積電 (2330-TW)(TSM-US) 比拚。

外媒指出,三星電子已任命副總裁兼 Flash 開發部門負責人 Song Jae-hyuk 為半導體研發中心的新負責人。

代工業務方面,指派半導體設備解決方案部門的全球製造與基礎設施副總裁 Nam Seok-woo,兼任晶圓代工製造技術中心負責人,兩人都是三星記憶體製程技術發展相關專家。同時也任命記憶體製造技術中心副總裁 Kim Hong-shik,帶領晶圓代工技術創新團隊。

三星去年底宣布高層人事大搬風,全面撤換半導體、手機、消費電子三大事業主管,並將手機及消費電子事業合併,將經營重心轉向半導體,時隔半年,再將記憶體業務大將部署至晶圓代工事業,積極推進晶圓代工事業發展。

三星預計最快本 (6) 月量產 3 奈米製程,超車下半年量產的台積電,不過,三星先進製程良率一直是外界關注焦點,先前有外媒透露,由於其 3 奈米專利 IP 數量不足,導致良率僅 10-20%,即便 4 奈米製程良率達 35%,但仍遠不及台積電的 7 成。
 

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