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美光下半年日本量產1β製程DRAM 台灣明年才量產

鉅亨網編譯羅昀玫
美光下半年日本量產1β製程DRAM 台灣明年才量產 (圖片:AFP)
美光下半年日本量產1β製程DRAM 台灣明年才量產 (圖片:AFP)

《日經亞洲評論》週五 (10 日) 報導,美國記憶體大廠美光 (Micron) 將在今年下半年於日本量產「1β」製程的次世代 DRAM,但未透露「1 γ」製程計畫。

美光執行副總裁兼事業長 Sumit Sadana 指出,美光正在與日本政府和商業夥伴協調,今年下半年在日本廣島新廠量產「1β」製程的次世代 DRAM。

Sadana 提到,美光在日本生產先進 DRAM 有很多積極因素,好比成熟的半導體產業和廣島人才庫,美光有意持續在日本製造先進 DRAM。

1α 製程 DRAM 的記憶體容量較前一代 (1z 製程) 提高 40%,推出時震撼業界,未來記憶體創新奠定絕佳基礎,而 1β 是 1α 的改良版。

美光 (MU-US) 研發部在美國,製造基地主要在台灣和日本廣島。目前美光正積極在日本擴建 DRAM 新廠,投資總額預估達 6,000 億至 8,000 億日圓 (約 1765 億台幣),預期日本政府將提供資金援助,未來十年在全球投資 1,500 億美元 (約 4.4551 兆台幣)。

此外,美光週五首度開放媒體參觀台中 A3 新廠,台灣美光新任董事長盧東暉表示,下半年會將 EUV 機台引入 A3 廠區,研發走廊,並在未來 2 至 3 年增聘 2000 名員工,加碼投資台灣。

盧東暉表示,他上任的優先目標之一是加快 1β 與 1 γ製程的投產和量產,目前 A3 廠區已量產 1α 製程 DRAM,1β 製程預計明年量產, 1 γ 則要等到 2024 年。

美光看好雲端需求及汽車晶片應用,記憶體晶片未來需求長期看多,旗下 DRAM 及 NAND 快閃記憶體後市前景極佳。

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