工研院攜手台積電 開發前瞻磁性記憶體技術

工研院今 (15) 日宣布，與晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW)(TSM-US) 合作，開發前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體 (SOT-MRAM) 陣列晶片，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，應用再人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，MRAM 有媲美靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 的寫入、讀取速度，兼具快閃記憶體非揮發性，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。

張世杰指出，記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，則代表效率越高。工研院攜手台積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓 SOT-MRAM 技術，達成 0.4 奈秒高速寫入、7 兆次讀寫的高耐受度，還有超過 10 年資料儲存能力。

另一方面，工研院也攜手國立陽明交通大學研發出工作溫度橫跨近 400 度的新興磁性記憶體技術，優化自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 的多層膜與元件，具備提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，可應用在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業。