三星電子週四(30日)正式宣布量產GAA架構的3奈米製程，成為全球第一家量產3奈米製程的晶圓代工廠商，但並未公布首發客戶名單。三星最新聲明中指出，三星在3奈米製程節點中導入GAA架構，以突破FinFET架構性能限制，這個新世代製程通過降低電源電壓來提高功率效率，同時通過增加驅動電流能力來提高性能，能以更小的體積實現更好的功耗表現，以滿足各種客戶的需求。三星在3奈米製程節點中導入GAA架構(圖片：三星電子)三星稱，GAA的設計靈活性非常有利於設計技術協同優化(DTCO)，與5奈米製程工藝相比，第一代3奈米製程可將功耗降低45%、性能提高23%，晶片面積減少多達16%，而第二代3奈米製程可降低高達50%的功耗，提高30%的性能和減少35%的面積。三星電子總裁暨晶圓代工事業部負責人SiyoungChoi表示，三星在晶圓代工行業的首個高介電常數金屬閘極(HKMG)、FinFET、EUV等新一代技術應用一直保持著領先地位，公司尋求持續在全球首個MBCFET™3奈米製程方面的領導地位，將在競爭性技術開發方面積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程。三星並未公布首發客戶名單，但市場傳出三星3奈米製程最初客戶有上海磐矽半導體(PanSemi)和高通(QCOM-US)等公司。三星此前曾宣布將GAA技術應用於3奈米製程後，計劃明年把GAA技術導入第二代3奈米晶片，並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片。
