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路透:SK海力士美國封裝廠目標明年Q1動土 最快2025年量產

鉅亨網編譯林薏禎
路透:SK海力士美國封裝廠目標明年Q1動土 最快2025年量產 (圖:AFP)
路透:SK海力士美國封裝廠目標明年Q1動土 最快2025年量產 (圖:AFP)

路透引述知情人士報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 在美國的先進晶片封裝廠選址將在明年第一季動土,建設成本料達數十億美元,估 2025-2026 年左右實現量產。

SK 海力士母公司 SK 集團上月承諾,將斥資 220 億美元在美國投資半導體、綠能和生物技術產業,半導體相關投資約達 150 億美元,內容包含在美國建設晶片封裝和測試廠。

知情人士透露,SK 海力士新廠可能為在位於一所坐擁工程人才的大學附近,並僱用約 1000 名工人,將自家的記憶體晶片與美國設計用於人工智慧、機器學習的邏輯晶片進行封裝。

SK 海力士雖向路透發表聲明,但未具體講述新廠的其他投資細節,僅重申將投入 150 億美元在美國先進封裝和其他半導體相關研發計畫。

據報導,SK 集團的這項決定,是在美國總統拜登簽署晶片法案後所做出。該法案將為美國晶片製造和研究提供 520 億美元的補貼,以及為企業赴美設廠提供約 240 億美元的投資稅收減免,封裝廠也有資格取得資金。

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