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三星新建半導體研發中心 計畫6年投入150億美元

鉅亨網編譯劉祥航 綜合報導
三星新建半導體研發中心 計畫6年投入150億美元(圖:AFP)
三星新建半導體研發中心 計畫6年投入150億美元(圖:AFP)

南韓三星電子周五 (19 日) 表示,公司位在南韓的一個新的半導體研發中心破土動工,計畫未來 6 年,向這一中心投資約 20 兆韓元 (150 億美元),以加強其晶片技術領先地位。

三星稱,位於首爾南部器興 (Giheung) 的新研發中心,將領導下一代記憶體和系統晶片設備與流程的先進研究,以及基於長期路線圖的新技術開發。

三星透過聲明表示:「三星電子正在尋求克服半導體規模的限制。」

三星電子副會長、剛獲得特赦的李在鎔,與多位高層管理人員及 100 多名員工出席了這次典禮。李在鎔在當天的儀式上表示,三星需要延續向來先發制人投資及重視技術的傳統。

李在鎔隨後會見了晶片業務的員工,並分別會見了高管,討論如何確保技術安全,及擴大半導體領導地位的辦法。

三星指出,器興園區位於首爾南部,靠近 DS 事業部的華城園區,是 1992 年世界上第一個 64Mb DRAM 的誕生地,標誌著這家公司半導體領導地位的開始。

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