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〈台積技術論壇〉談2奈米以下技術 在低維材料方面取得突破

鉅亨網記者林薏茹 新竹 2023-05-11 17:40

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台積電總裁魏哲家。(鉅亨網記者林薏茹攝)

晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW)(TSM-US) 今(11)日召開技術論壇,提及 2 奈米以下的技術創新,台積電指出,在奈米片 (nanosheet) 後,垂直堆疊的 NMOS 和 PMOS(互補式場效電晶體 CFET)是未來製程架構選項之一,並已在碳奈米管和 2D 材料等低維材料方面,取得突破。

台積電業務開發資深副總經理張曉強表示,2 奈米預計 2025 年量產,N2P 和 N2X 則計畫 2026 年推出,奈米片電晶體效能已超過台積電技術目標的 80%,同時展示優異的能源效率和更低的工作電壓,非常適合作為半導體產業節能運算的典範。

對於 2 奈米以下的技術創新,有別於去年技術論壇中,僅提到對 2 奈米後的製程未來發展非常樂觀,包括新型電晶體結構、新材料、持續微縮和新導體材料方面出現的創新。

台積電在今年技術論壇中指出,電晶體架構從平面式發展到 FinFET,並將轉變至奈米片架構,在奈米片之後,台積電認為,垂直堆疊的 NMOS 和 PMOS(互補式場效電晶體 CFET) 是未來製程架構選項之一,預估在考量佈線和製程複雜性後,晶片密度將可提升 1.5 至 2 倍。

除了 CFET,台積電也透露,已在如碳奈米管和 2D 材料等低維材料方面,取得突破,可能實現進一步的尺寸和能源微縮。
 

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