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〈財報〉SK海力士連3季虧損 目標靠高階DRAM加速獲利改善

鉅亨網編譯林薏禎 2023-07-26 10:00

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SK海力士連3季虧損 目標靠高階DRAM加速獲利改善 (圖:Shutterstock)

南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 周三 (26 日) 公布,因記憶體定價和需求疲軟,上季營運虧損超出預期,但營收和虧損均較前一季改善。公司表示,隨著市場步入復甦階段,目標將著重於擴大高階 DRAM 產品銷售,以加快獲利改善。

今年上半年,經濟放緩影響買家需求,拖累記憶體價格持續走低,晶片商紛紛加入減產行列,最終使未售出庫存價值遭到大幅減記。

財報顯示,因需求疲軟導致價格持續下滑,截至 6 月的三個月內,SK 海力士營運虧損達 2.9 兆韓元 (約 22.8 億美元),高於市場預期,連續三季陷入虧損。去年同期營業利益為 4.2 兆韓元

SK 海力士上季營收為 7.31 兆韓元,較去年同期下滑 47%,但季增 44%,營運虧損也較第一季收窄 15%。

SK 海力士指出,隨著生成式 AI 市場擴張,對 AI 伺服器記憶體的需求已迅速增加,並帶動 HBM3 和 DDR5 等高階 DRAM 產品銷量成長。

SK 海力士副總裁兼財務長金祐賢 (Kim Woohyun) 表示,在度過第一季的低谷後,記憶體市場進入復甦階段,公司將努力透過高階產品的技術競爭力來支撐獲利。

SK 海力士表示,上季 DRAM 和 NAND 產品銷量均有所增加,且 DRAM 平均售價上揚,在很大程度上幫助推動營收成長。因此,公司目標是擴大高階 DRAM 產品的銷售,包含 HBM3、DDR5 和 LPDDR5,以及 176 層的堆疊設計的 SSD 產品,此舉有望加快獲利改善。

SK 海力士宣布,今年將提高第 5 代 10 奈米製程 (1b)DRAM 以及 238 層 NAND 的良率及產能,一旦市況好轉,將擴大量產規模。不過,鑑於 NAND 庫存水位仍高於 DRAM,公司決定進一步減產 NAND。

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