〈財報〉SK海力士連3季虧損 目標靠高階DRAM加速獲利改善

南韓 SK 海力士 (SK Hynix) 周三 (26 日) 公布，因記憶體定價和需求疲軟，上季營運虧損超出預期，但營收和虧損均較前一季改善。公司表示，隨著市場步入復甦階段，目標將著重於擴大高階 DRAM 產品銷售，以加快獲利改善。

今年上半年，經濟放緩影響買家需求，拖累記憶體價格持續走低，晶片商紛紛加入減產行列，最終使未售出庫存價值遭到大幅減記。

財報顯示，因需求疲軟導致價格持續下滑，截至 6 月的三個月內，SK 海力士營運虧損達 2.9 兆韓元 (約 22.8 億美元)，高於市場預期，連續三季陷入虧損。去年同期營業利益為 4.2 兆韓元。

SK 海力士上季營收為 7.31 兆韓元，較去年同期下滑 47%，但季增 44%，營運虧損也較第一季收窄 15%。

SK 海力士指出，隨著生成式 AI 市場擴張，對 AI 伺服器記憶體的需求已迅速增加，並帶動 HBM3 和 DDR5 等高階 DRAM 產品銷量成長。

SK 海力士副總裁兼財務長金祐賢 (Kim Woohyun) 表示，在度過第一季的低谷後，記憶體市場進入復甦階段，公司將努力透過高階產品的技術競爭力來支撐獲利。

SK 海力士表示，上季 DRAM 和 NAND 產品銷量均有所增加，且 DRAM 平均售價上揚，在很大程度上幫助推動營收成長。因此，公司目標是擴大高階 DRAM 產品的銷售，包含 HBM3、DDR5 和 LPDDR5，以及 176 層的堆疊設計的 SSD 產品，此舉有望加快獲利改善。

SK 海力士宣布，今年將提高第 5 代 10 奈米製程 (1b)DRAM 以及 238 層 NAND 的良率及產能，一旦市況好轉，將擴大量產規模。不過，鑑於 NAND 庫存水位仍高於 DRAM，公司決定進一步減產 NAND。