佳能想用NIL技術挑戰EUV ，台積電、聯電 、光罩將有機會受惠

〈奈米壓印微影技術與三大曝光機廠〉

日本半導體設備大廠佳能 (Canon) 在 10 月 13 日宣布開賣採用奈米壓印 (Nano-imprint Lithography，NIL) 技術的微影設備 FPA-1200NZ2C，Canon 表示奈米壓印微影設備可用來生產現行最先進的 5 奈米記憶體晶片，期望改良後可進一步用來生產 2 奈米產品，試圖挑戰半導體設備龍頭廠艾司摩爾 (ASML-US) 的地位。(佳能在 90 年代未能接受美國授權 EUV 技術後即轉向 NIL 方向發展)

目前世界前三大曝光機微影設備廠製造商為: 日本 Canon 、Nikon 和荷蘭 ASML，日本 Nikon 和 Canon 都是知名百年老牌照相機製造商，ASML 則是 1984 才成立的合資公司卻能後發制人，是全球唯一能量產 EUV(極紫外光) 微影技術的設備廠商，EUV 曝光機是半導體先進製程 5 奈米以下不可或缺的關鍵設備，售價更是高達 1.5 億美元以上。

2022 年前三大曝光機設備廠共出貨 551 台曝光機，總營收為 196 億美元，ASML 賣出 345 台，曝光機的營收為 161 億美元; Canon 售出 176 台，營收為 20 億美元; Nikon 則售出 30 台，營收為 15 億美元。可以看出日廠在曝光機的銷售台數以及金額都與 ASML 有極大的差距。

〈奈米壓印微影技術的應用及優缺點〉

奈米壓印跟封蠟印章的原理類似，先在表面塗光阻劑 (樹脂)，再用做好的 光罩 模具壓下，就可以做出像要的圖案，因為奈米壓印的模具能夠重複壓印，適用於大量製作光碟、晶片及太陽能電池內的微細結構。Canon 為奈米壓印微影技術研發出最佳的光阻劑材料，以及用於壓印的奈米級對準技術，還實現清潔半導體的微粒控制技術，相較於已商用化的 EUV 技術，NIL 技術的耗電量只需 EUV 的十分之一，金額只需 EUV 的 40%，大幅減少耗能，並降低設備成本。

由於奈米壓印微影技術需使用軟性材質的光阻劑材料，適合使用在規則性結構如 DRAM 與 NAND FLASH，而邏輯晶片只有少部分的結構可以使用，故 NIL 技術仍無法完全取代 EUV 微影技術。

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〈奈米壓印微影技術 台灣相關概念股〉

台積電 (2330-TW) 是全球最大的晶圓代工廠，在半導體製造領域具有領先地位，使用 NIL 技術來降低晶圓製造的成本，對晶圓廠是大利多。聯電 (2303-TW) 在成熟製程尤其 14 奈米維持領導地位，是 NIL 技術的直接受益者。光罩 (2338-TW) 是全球最大的光罩製造商，奈米壓印微影技術需要使用專用的光罩，將有機會受惠。總而言之，EUV 技術目前仍是先進製程的唯一選擇，但 NIL 技術具有成本低、減少碳排放的優勢，若能在一定良率下成功開發量產，有望在未來成為 EUV 技術的替代方案，關於最新的股市行情分析與看好產業，您可以點擊以下影片收視 10/21 週六最新的直播節目。

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文章來源：陳智霖分析師 / 亨達投顧

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