聯電攜手英特爾開發12奈米製程 晶圓代工進入新競合時代

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 和英特爾 (INTC-US) 今 (25) 日共同宣佈，雙方將合作開發 12 奈米製程平台；此次將由聯電提供 12 奈米 FinFET 製程技術，在英特爾美國亞利桑那州 Ocotillo Technology Fabrication 的 12、22 和 32 廠進行開發和製造，預計在 2027 年投入生產。

業界認為，英特爾近年積極進軍晶圓代工業，但過往因大多生產自家處理器，產品架構以高功耗、高效能的 x86 為主，但市場對低功耗需求強勁，英特爾也決定找上聯電，以生產 Arm 架構晶片的 FinFET 製程為主要合作目標，也象徵晶圓代工業進入新競合時代。

聯電指出，這項長期合作將結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務 (IFS) 總經理 Stuart Pann 表示，幾十年來，台灣一直是亞洲和全球半導體及廣泛的技術生態系的重要成員，英特爾致力於與聯電般的台灣創新企業合作，為全球客戶提供更好的服務。英特爾與聯電的策略合作進一步展現了為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾，也是實現英特爾在 2030 年成為全球第二大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾進行在美國製造的 12 奈米 FinFET 製程合作，是公司追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，此舉並延續我們對客戶的一貫承諾。

王石看好，這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。

此項 12 奈米製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和 FinFET 電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及為客戶提供 PDK 及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州 Ocotillo Technology Fabrication 的 12、22 和 32 廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

聯電與英特爾將致力滿足客戶需求，透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化 (EDA) 和智慧財產權 (IP) 解決方案，合作支援 12 奈米製程的設計實現 (design enablement)。此 12 奈米製程預計在 2027 年投入生產。

英特爾在美國和全球已投資和創新超過 55 年，除了愛爾蘭、德國、波蘭、以色列和馬來西亞之外，也在美國的俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州設立或規劃製造基地，以及進行投資。

英特爾晶圓代工服務 (IFS) 在 2023 年有重大進展，與客戶建立良好的互動，包括採用 Intel 16、Intel 3 及 Intel 18A 製程技術的新客戶，拓展其持續成長的晶圓代工生態系。IFS 預期在 2024 年將繼續取得進展。

四十多年來，聯電是全球汽車、工業、顯示器和通訊等關鍵應用晶片的晶圓代工
製造首選。聯電在成熟和特殊製程技術上持續引領創新，最近二十多年，成功地
將製造基地擴展到亞洲各國。聯電是超過 400 家半導體客戶的重要晶圓製造夥伴，專精於支援客戶實現產品高良率，並維持領先業界的產能利用率。