傳輝達供應商SK海力士 擬斥40億美元在印第安納州蓋先進封裝廠

《華爾街日報》(WSJ)周二 (26 日) 援引知情人士消息報導，輝達 (NVDA-US) 供應商南韓的 SK 海力士 (SK Hynix) 計劃投資 40 億美元在美國印第安納州蓋一座先進晶片封裝工廠。此舉將推動拜登政府恢復美國半導體大國的雄心壯志。

據悉，SK 海力士的工廠毗鄰普渡大學 (Purdue University)，預料將創造約 800 至 1,000 個工作機會，而普渡大學是美國最大的半導體和微電子工程計畫的所在地之一。此外，SK 海力士料將獲得州和聯邦稅收優惠以及其他形式支持，提供資金助其建廠計畫。

知情人士表示，該廠可能在 2028 年開始運作，SK 海力士董事會很快會就建廠計畫進行投票，完成此決定。值得注意的是，SK 海力士也曾考慮亞利桑那州建廠，該州晶片產業蓬勃發展，台積電 (2330-TW) 和英特爾 (INTC-US) 都在該州設廠。不過知情人士說，印第安納州最終被選中，部分原因是普渡大學可以提供大量熟練的工程師。

對於上述報導，SK 海力士發言人表示，公司正在審查在美國先進晶片封裝投資，但尚未做出決定。英國《金融時報》(FT) 也曾報導 SK 海力士要在印第安納州蓋晶片封裝廠的消息。

先進晶片封裝是半導體生產的最後一步，也是拜登政府《美國晶片法案》(U.S. Chips Act)的一個關鍵方面，該法案撥出至少約 30 億美元用於擴大此類國內生產。企業向美國商務部申請補助的截止日期是 4 月 12 日。美國商務部網站上寫道：「例如，如果沒有先進封裝，人工智慧 (AI) 是不可能有最新進展的」。

晶片產業顧問公司 SemiAnalysis 首席分析師 Dylan Patel 表示：「SK 海力士工廠將成為美國第一家大規模 HBM 封裝的主要工廠。」他說，同樣值得注意的是，這筆投資來自該行業領先的 HBM 供應商。

HBM 是利用先進的封裝技術和材料，將單一 DRAM 晶片堆疊在一起並融合在一起的頂尖技術。 SK 海力士的下一代 HBM3E 可以在一秒鐘內處理相當於 230 部高清電影的數據，這大大擴展一次處理的數據量。

根據 SemiAnalysis 的最新估算，以記憶體 Gigabyte(GB)計算，SK 海力士約占 HBM 市場的 73%，三星電子約占 22%，總部位於愛達荷州的美光 (MU-US) 約占 5%。SK 海力士目前在南韓生產和封裝其 HBM 晶片。

晶片產業顧問公司 International Business Strategies 的執行長 Handel Jones 說，預估 SK 海力士在美國建造封裝工廠的成本將比在南韓建造類似工廠高出約 30% 至 35%，不過美國政府的資金將有助於抵消部分增加的成本。