HBM、QLC崛起加漲價效應 DRAM、NAND今年營收估增75%、77%

研調機構 TrendForce 今 (22) 日表示，受惠位元需求成長、供需結構改善拉升價格，加上 HBM、QLC 等高附加價值產品崛起，預估 DRAM 及 NAND Flash 產業今年營收年增幅分別達 75% 和 77%，2025 年也將維持成長趨勢並創新高，年增幅分別為 51%、29%，並進一步推動資本支出回溫。

TrendForce 指出，DRAM 營收成長有四大因素，包括 HBM 崛起、一般型 DRAM 產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復甦，其中，HBM 較一般型 DRAM 價格更高，也拉升位元需求，預估 HBM 今年將貢獻 DRAM 位元出貨量 5%、營收 20%。

TrendForce 估計，受惠 DRAM 均價在 2024 年增加 53%、2025 年增加 35% 的條件下，進一步推升 2024 年 DRAM 營收達 907 億美元、年增 75%，2025 年達 1,365 億美元、年增 51%。

NAND Flash 方面，TrendForce 預估，今年 NAND Flash 營收將達 674 億美元、年增 77%，2025 年在大容量 QLC Enterprise SSD 崛起、智慧型手機採用 QLC UFS、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復甦等四大因素帶動下，NAND Flash 營收將達 870 億美元、年增 29%。

另外，北美雲端服務業者已開始在推論用 AI 伺服器大量採用 QLC enterprise SSD，尤其是大容量規格，也帶動 QLC 占整體 NAND Flash 比重提高，今年佔 NAND Flash 位元出貨量約 20%，明年比重估再進一步提升。

智慧型手機方面，QLC 預計逐步滲透 UFS 市場，部分中國智慧型手機業者預計今年第四季起採用 QLC UFS 方案，蘋果則預計 2026 年開始導入至 iPhone。

TrendForce 表示，記憶體產業營收創紀錄下，原廠將有足夠現金流加速投資。預估 2025 年 DRAM、NAND Flash 產業資本支出分別年增 25%、10%，且有機會上修。

DDR5 和 LPDDR5/5X 等高附加價值產品的滲透同樣有助提高平均價格。TrendForce 估計，DDR5 將分別貢獻 2024、2025 年 server DRAM 位元出貨量 40%、60-65%，LPDDR5/5X 會貢獻 2024、2025 年 mobile DRAM 位元出貨量 50% 和 60%。

此外，記憶體生產規模提升將帶動對矽晶圓、化學品等上游原料需求，但相反的，記憶體價格上漲將增加電子產品成本，ODM/OEM 業者較難完全將成本反映在零售價上，利潤勢必將被壓縮，終端銷量也可能受到壓抑，導致需求下滑。