美國制裁效應 長江存儲擴大採用國產設備 並導入混合鍵和技術

研調機構 TechInsights 今 (20) 日指出，在美國制裁效應下，長江存儲已成功採用中國國產半導體設備取代部分美系半導體設備，同時為強化效能，已率先採用混合鍵合技術製造，技術相較業界成熟。

TechInsights 指出，長江存儲去年達成 232 層的 TLC 3D NAND，成為中國甚至全球生產密度最高的記憶體，其使用自家 Xtacking 3.0 技術，並應用在致態 (ZhiTai) TiPlus7100 SSD《黑神話：悟空》版本中。

長江存儲記憶體密度相當高，儘管不是密度最高的記憶體，但已經相近於高階等級，主要是通過混合鍵合 (Hybrid bonding) 與高達 20 個垂直通孔實現，也是此次技術升級的關鍵。

TechInsights 認為，鎧俠 (KIOXIA) 今年初推出同樣擁有 20 個垂直通孔的記憶體也使用混合鍵合技術，但其技術成熟度上還無法達到長江存儲水準，預計三星、SK 海力士和美光也都將採用混合鍵合技術，但要追趕長江存儲優勢還需一段時間。

此外，TechInsights 觀察，長江存儲因應美國制裁，已轉向使用中國當地材料和設備，值得關注的是，長江存儲此次並未透露自家層數，也被猜測為有意的模糊，通過系統分析發現，此次層數降低可能是為了解決相對不成熟的中國設備生態系統的低良率問題。

但從出口角度來看，TechInsights 認為，進一步降低層數也可能是長江存儲的優勢，若其生產記憶體層數少於 128 層，將不受美國制裁影響，有機會為長江存儲重新進入西方市場提供優勢，尤其在高階記憶體產品領域。

不過在蝕刻和蒸鍍部分關鍵製程，TechInsights 認為，長江存儲仍依賴美國與日本設備，也是在制裁前所取得，目前中國國內設備商在 3D 堆疊技術上尚未趕上，關鍵設備占記憶體製造所需設備價值達 50%。

其他設備方面，TechInsights 預期，隨著時間推移，長江存儲將逐步汰換設備，但其與合作夥伴也須克服兼容性問題，尤其更換工具和流程的生態系統並不容易。