〈蛇年景氣展望〉記憶體今年Q1仍低迷 Q2起緩步復甦

DRAM、NAND 記憶體市場自去年下半年起，除 AI 雲端應用暢旺，其餘整體需求皆不如預期，造成客戶端庫存水位拉高，市場呈現供過於求，價格也回跌，展望今年，由於第一季為傳統淡季，加上產業庫存水位仍高，預計 DRAM、NAND 市場的需求與價格第一季將雙雙下滑，期望第二季起緩步復甦。

細分兩大市場，DRAM 目前除 HBM(高頻寬記憶體) 供不應求外，其他如 DDR5/4/3 皆面臨供過於求，降價壓力大，且第一季為傳統淡季，加上先前因應美國川普上任前已提前備貨，整體需求較上季放緩，由於價格持續走跌，買方也多有預期心理，採購心態也多觀望。

供給端方面，業界一致認為中國合肥長鑫開始量產 DDR5 是產業最大變數，其現階段出貨皆以供應中國當地手機品牌廠為主，預計今年中 LPDDR5 就會大量出貨，屆時 LPDDR5 價格也恐承壓，三大原廠將直接受衝擊，連帶台廠也恐遭波及。

研調機構預估，今年第一季一般型 DRAM(conventional DRAM) 平均跌幅預估擴大至 8-13%，若計入 HBM 產品，價格預計下跌 0% 至 5%；其中，PC DRAM 價格季減 8-13%，伺服器 DRAM 季減 5-10%，手機 DRAM 季減 3-13%，顯卡 DRAM 季減 5-10%，消費性 DRAM 也跌 3-15%。

NAND 市場方面， 業界指出，由於市場自去年下半年開始走弱，到現在仍未看見復甦跡象，因此普遍對今年上半年抱持保守看法，目前美光 (MU-US) 與 SK 海力士已率先減產，其他業者如三星、鎧俠也都有相對應計畫，期望透過減產降低供過於求的壓力。

整體來說，目前 DRAM 與 NAND 業者較樂觀的看法是預期今年第二季在中國經濟復甦與全球政策刺激下，消費性電子需求將緩步復甦，屆時包括市場走勢與價格都有機會在第二季觸底，期望整體下半年需求反彈，帶動業績成長。