大戰開打！韓SK海力士首次展示HBM4 三星奮起直追 美光稍顯保守

南韓記憶體大廠 SK 海力士周四 (20 日) 宣佈已向客戶提供 12 層 HBM4 樣品，預計今年下半年完成量產準備，這標誌著 HBM4 技術的競賽正式進入新階段，三星與美光也纷纷展示自己的 HBM 發展規則，包括 HBM4、HBM4e。

SK 海力士說，HBM4 是全球首發用於 AI 計算的記憶體，每秒能處理 2TB 數據，容量為 36GB，採用該公司最先進 MR-MUF 技術製造。自 2019 年以來，MR-MUF 技術被應用於 SK 海力士的 HBM2 中，MR-MUF 技術另一個重要特性是採用了一種名為環氧樹脂模塑膠 (EMC) 的保護材料，用於填充晶片間的空隙。

在 AI 計算時代，HBM 有著舉足輕重地位。HBM 是通過垂直堆疊多個 DRAM 晶片，大幅提升數據處理速度，超越傳統 DRAM 能力，是一種高價值、高性能的產品。

儘管 SK 海力士未透露客戶名單，但市場普遍認為主要客戶包括輝達和博通等美國科技巨頭。

美國 AI 晶片巨擘輝達在本屆 GTC 大會上公佈 AI 處理器的詳細發展路線圖，其中包括 Blackwell 系列的繼任者 Rubin，Rubin 將配備 HBM4 記憶體。Rubin 最初預估明年首次亮相，但時程表可能會加快，按 SK 海力士 HBM4 的量產時程表來看，一些分析師預測 Rubin 最早將於今年下半年投產，明年下半年才推出。

面對 SK 海力士的領先地位，三星正奮起直追，也打算在今年下半年啟動 HBM4 的量產。三星預期，4 奈米製程將加速 HBM4 生產，使其在市場競爭中佔據優勢。目前，4 奈米製程已被用於 Exynos 2400 晶元，該晶片是三星旗艦 AI 手機 Galaxy S24 系列的核心處理器。

三星高管說，「不同於台積電和 SK 海力士，我們的獨特優勢在於，我們的晶片設計團隊直接參與 HBM4 的開發」，並稱藉由記憶體部門和晶圓代工部門的協作，三星希望在 HBM 和代工製造領域實現差異化競爭。

相比 SK 海力士和三星，美光則稍顯保守，打算在明年實現 HBM4 量產。不過，美光對 HBM4 前景充滿信心，看好今年 HBM 業務收入將達數十億美元，目前 HBM 供應已售罄且該時段的價格已確定。美光強調，HBM4E 將在記憶體業務中引入全新的典範，其中一項重要創新是採用台積電先進的邏輯晶圓代工工藝，為特定客戶提供邏輯基底定製選項。值得一提的是，前段時間，美光還任命台積電前董事長劉德音為董事會成員，以推進其 HBM4 研發，並加快市場佈局。

不過，HBM 技術的未來仍充滿挑戰和機遇。SK 海力士 HBM 集成技術副總裁 Han Kwon-hwan 指出，HBM4 的量產面臨諸多技術變數，團隊將專注於提前預測並制定應對策略。

從上述三大記憶體巨頭的 HBM4 的發展來看，HBM 的控制邏輯晶片 (Base Die) 正向更先進的製程發展，HBM4 已經從 12 奈米推進到 5 奈米與 4 奈米，未來 HBM5 可能採用 3 奈米甚至更先進的製程，以提升數據輸送量和降低功耗。

隨著邏輯晶片製程日益先進，記憶體廠商在自主研發和製造高階邏輯基底方面的難度加大，推動 HBM 生產向外部代工模式轉移。台積電、三星和英特爾等代工廠的先進封裝技術如 Foveros、CoWoS-L，在 HBM 製造中料將佔據更重要的地位，