AI引爆記憶體五年大多頭!三星Q4 DRAM大漲30%!台廠補漲空間很大
鉅亨研報
美國政府於 1 日全面關門,多項關鍵經濟數據確定延誤發布,其中以影響 Fed 決策的「就業」和「通膨」數據最為關鍵,包括非農就業報告與失業率、初次請領失業救濟金人數、消費者物價指數 (CPI)、生產者物價指數 (PPI),加上中國 9 日宣布擴大對稀土出口限制措施等,台股加權指數不畏市場雜音多,今日延續向上推升,再見新高,權值股王台積電 (2330-TW) 今 (16) 日在法說會前維持強勁走勢,最高來到 1475 元改寫歷史新高。

觀察三大法人昨日籌碼動向,外資賣超 147.30 億元;自營商買超 28.07 億元;投信賣超 11.1 億元,呈現連八賣;三大法人合計賣超 130.33 億元。市場資金仍在電子族群打轉,成交比重高達 7 成,半導體族群、AI 散熱族群、DRAM、二極體族群及 IC 載板族群漲幅表現較佳。
目前 DRAM 市場的整體訊息呈現強勁的漲價趨勢, DRAM 和 NAND Flash 都出現缺貨現象,且缺口比先前預測更嚴峻。10 月的合約價漲幅可能超越原先預估,DDR5 合約價原預估上漲 10%~15%,DDR4 合約價也預期有雙位數漲幅,且仍有上修空間。
三星已通知客戶,計劃在 2025 年第四季調漲部分 DRAM 產品價格,最高漲幅可能達到 30%,其中行動 DRAM(LPDDR4X、LPDDR5/5X)的漲幅最大。美光等原廠傳出 暫停所有 DRAM 報價的消息,台灣廠商跟進,國內 DRAM 廠商,如南亞科、華邦電等也傳出計劃在第四季跟進調整報價,漲幅可能超過五成。
市場普遍認為,在原廠減產策略大勢已定下,2025 年記憶體價格不會再有下跌的機會,供應緊張將持續至 2026 年。
AI 趨勢全面推升記憶體需求,AI 伺服器與資料中心需求最為強勁,直接帶動 HBM 和高階 DDR5 的滲透率與需求。PC 方面,隨著 Windows10 服務退役,以及市場對 AI PC 的期待,帶動 PC 端的換機需求轉強,需要更多 DRAM,及智慧手機在高容量化趨勢下,旗艦機種已大量搭載 12GB 以上的 DRAM,推升 LPDDR5 等高階行動 DRAM 的需求。
南亞科 (2408-TW)
法人普遍預估,在伺服器 DRAM 訂單高於預期、以及 HBM 持續排擠一般型 DRAM 供給的雙重因素下,DRAM 供不應求的局面可能延續至 2026 年底,甚至新產能要到 2027 年才有望大量開出,為產業帶來長期的榮景。
品安 (8088-TW)
全球 DRAM 大廠陸續宣布將逐步停產 DDR4 規格。這造成市場預期 DDR4/DDR3 顆粒在 2026 年可能出現供不應求。品安作為模組廠,可望直接受惠於 DDR4 產品價格的堅挺。
景碩 (3189-TW)
雖然整體 ABF 載板產能仍高於終端需求,但景碩策略性將產能優先配置給 高附加價值的 AI 與網通應用。公司表示,高層數 ABF 載板 市場供需在 2026 年有望達到平衡甚至偏緊,這將是支撐景碩獲利能見度的關鍵。
宇瞻 (8271-TW)
除了 DRAM 模組外,NAND Flash 業務的出貨穩定增長,也將成為公司獲利動能的一部分。
環球晶 (6488-TW)
矽晶圓產業經歷了客戶庫存調節期,預期 2025 年將呈現 V 型成長。公司管理階層預期,隨著客戶庫存進一步去化,市場復甦態勢將明朗。
群聯 (8299-TW)
NAND Flash 價格在記憶體原廠將產能與資金轉向 HBM 等高階產品後,供給量減少,導致 NAND Flash 供應吃緊,價格看漲,且短期內供給難以緩解。
南電 (8046-TW)
南電受惠於 AI 伺服器、HPC 晶片,以及 ASIC 專案對高層數、高難度 ABF 載板的強勁需求。傳出美系 CSP(雲端服務供應商)的 ASIC 專案預計在第四季啟動,且明年上半年還有新客戶的 ASIC 案子,以及 1.6T 網通晶片量產,這些都是高附加價值的訂單。
* 目前的 DRAM 市場正處於景氣復甦的上升階段,這波漲價更加入了 AI 帶來的結構性升級因素,對於具有高階技術、掌握 AI 相關 DDR5、HBM 供應鏈,或能受惠於漲價和庫存去化的公司,可多加關注
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