聯電推55奈米BCD平台 搶三應用商機

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (22) 日宣布推出全新 55 奈米 BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)平台，為下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。

聯電此平台針對電子產品日益複雜的電源管理需求而設計，實現更小的晶片面積、更低的功耗與卓越的抗雜訊表現，賦予電源電路設計更高的靈活度與可靠性。

BCD 技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號 IC。聯電全新的 55 奈米 BCD 平台提供多元化電源 IC 應用的解決方案，以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求：

聯電 BCD 共有三製程，包括非磊晶 (Non-EPI)、磊晶 (EPI) 製程與絕緣層上覆矽 (SOI) 製程，其中，非磊晶備獨特元件架構的高性價比方案，為行動及消費性裝置提供優異的電源效率與性能。

磊晶 (EPI) 則符合最嚴格的車規 AEC-Q100 Grade 0 標準，支援高達 150V 操作電壓，提升在極端環境下車用電子的可靠性；絕緣層上覆矽 (SOI) 製程符合車規 AEC-Q100 Grade 1 標準，具備卓越的抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能，適合高階車用與工業使用。

聯電 BCD 平台同時整合超厚金屬層 (UTM)、嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 與電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 等技術，進一步提升晶片效能與系統整合彈性。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示，55 奈米 BCD 平台的推出，象徵聯電在 BCD 技術佈局上的重要里程碑，更進一步完善公司的特殊製程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢。儘管 55 奈米 BCD 製程已在市場上量產多年，聯電推出全新且全面的 55 奈米 BCD 解決方案，具備卓越的元件特性，協助客戶打造創新電源解決方案，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。

聯電已建構業界最完整且成熟的 BCD 技術組合，製程節點橫跨 0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.11 微米乃至 55 奈米，提供具差異化的解決方案，憑藉著能提供廣泛的電壓需求、豐富的 IP 資源與完善的設計支援，加速客戶產品開發時程，強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力，持續與客戶共同實現長期雙贏成長。